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SiC 장치
실리콘 카바이드 SiC는 실리콘 Si와 탄소 C로 구성된 화합물 반도체 소재로, 일반적으로 4H-SiC 결정형입니다. 절연 파괴 전계 강도는 Si의 10배, 에너지 갭은 Si의 3배, 열전도도는 Si의 3배, 포화 드리프트 속도는 Si의 2배입니다. Si보다 매우 우수한 전력전자소자 소재입니다.
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR의 제품 라인에는 개별 소자(다이오드, 트랜지스터, 전력 소자 등)와 집적 회로 칩(선형 레귤레이터, DC/DC 칩, 인터페이스 칩, 홀 센서, ADC, BMS 등)이 포함됩니다... 우리는 전용 반도체에 대한 수년간의 축적된 기술을 보유하고 있습니다.
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