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Dispositivos SiC
O carboneto de silício SiC é um material semicondutor composto composto de silício Si e carbono C, geralmente no tipo cristal 4H-SiC. A intensidade do campo de ruptura do isolamento é 10 vezes maior que a do Si, a lacuna de energia é 3 vezes maior que a do Si, a condutividade térmica é 3 vezes maior que a do Si e a velocidade de deriva de saturação é 2 vezes maior que a do Si. É um material para dispositivos eletrônicos de potência muito superior ao Si.
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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