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SiC-Geräte
Siliziumkarbid SiC ist ein Verbindungshalbleitermaterial aus Silizium Si und Kohlenstoff C, üblicherweise im 4H-SiC-Kristalltyp. Seine Isolationsdurchschlagsfeldstärke ist zehnmal so hoch wie die von Si, die Energielücke ist dreimal so hoch wie die von Si, die Wärmeleitfähigkeit ist dreimal so hoch wie die von Si und die Sättigungsdriftgeschwindigkeit ist doppelt so hoch wie die von Si. Es ist ein sehr überlegenes Material für leistungselektronische Geräte als Si.
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
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