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MOSFET a bassa tensione

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2SK3018 MOSFET di potenza a canale N SOT-23 Pacchetto: SOT-23 VDSS(V):30V Id(A):100mA RDSON(Ω):7.5mΩ@10V,400mA VTH: 2 V a 100 μA Codice articolo: Canale N

Datasheet 3D Modello

2SK3018W MOSFET di potenza a canale N SOT-323 Pacchetto: SOT-323 VDSS(V):30V Id(A):300mA RDSON(Ω):8Ω@10V,3A VTH: 1.5 V a 250 μA Codice articolo: Canale N

Datasheet 3D Modello

Transistor ad effetto di campo in ossido di metallo-silicio 2SK3019 Pacchetto: SOT-523 VDSS(V):30V Id(A):0.1A RDSON(Ω):8Ω@4V, 10mA VTH: 0.8 V a 100 μA Codice articolo: Canale N

Datasheet 3D Modello

2SK3019 MOSFET di potenziamento a canale N SOT-523 Pacchetto: SOT-523 VDSS(V):30V Id(A):0.1A RDSON(Ω):8Ω@4V,10A VTH: 0.8 V a 100 μA Codice articolo: Canale N

Datasheet 3D Modello

MOSFET di potenziamento a canale N BSN20 SOT-23 Pacchetto: SOT-23 VDSS(V):50V Id(A):3A RDSON(Ω):3Ω@4.5V VTH: 1.5 V a 250 μA Codice articolo: Canale N

Datasheet 3D Modello

MOSFET di potenziamento a canale N BSS205N SOT-23 Pacchetto: SOT-23 VDSS(V):20V Id(A):2.5A RDSON(Ω):40mΩ@4.5V,2.5A VTH: 0.7 V a 11 μA Codice articolo: Canale N

Datasheet 3D Modello

Transistor a effetto di campo in modalità di miglioramento del canale P BSS84 SOT-23 Pacchetto: SOT-23 VDSS(V):50V Id(A):130mA RDSON(Ω):10Ω@5V,100mA VTH: 2.5 V a 250 μA Codice articolo: Canale P

Datasheet 3D Modello

MOSFET di potenziamento del canale P FDN302P SOT-23 Pacchetto: SOT-23 VDSS(V):-20V Id(A):-2.4A RDSON(Ω):44mΩ@-4.5V, -2.4A VTH：-1V@-250μA Codice articolo: Canale P

Datasheet 3D Modello

MOSFET di potenziamento del canale P FDN304P SOT-23 Pacchetto: SOT-23 VDSS(V):-20V Id(A):-2.4A RDSON(Ω):36mΩ@-4.5V, -2.4A VTH：-0.7V@-250μA Codice articolo: Canale P

Datasheet 3D Modello

MOSFET di potenziamento del canale P FDN306P SOT-23 Pacchetto: SOT-23 VDSS(V):-12V Id(A):-2.6A RDSON(Ω):30mΩ@-4.5V, -2.6A VTH：-0.7V@-250μA Codice articolo: Canale P

Datasheet 3D Modello

FDN327N MOSFET di potenza a canale N SOT-23 Pacchetto: SOT-23 VDSS(V):20V Id(A):2A RDSON(Ω):40mΩ@4.5V,2.0A VTH: 0.7 V a 250 μA Codice articolo: Canale N

Datasheet 3D Modello

MOSFET di potenza a canale P FDN336P SOT-23 Pacchetto: SOT-23 VDSS(V):-20V Id(A):-1.3A RDSON(Ω):105mΩ@-4.5V,-1.3A VTH：-0.7V@-250uA Codice articolo: Canale P

Datasheet 3D Modello

Transistor ad effetto di campo in ossido di metallo-silicio FDN337N Pacchetto: SOT-23 VDSS(V):30V Id(A):2.2A RDSON(Ω):40mΩ@4.5V, 2.2A VTH: 0.9 V a 250 μA Codice articolo: Canale N

Datasheet 3D Modello

MOSFET di potenziamento a canale N FDN337N SOT-23 Pacchetto: SOT-23 VDSS(V):30V Id(A):2.2A RDSON(Ω):40mΩ@4.5V,2.2A VTH: 0.9 V a 250 μA Codice articolo: Canale N

Datasheet 3D Modello

MOSFET di potenziamento del canale P FDN338P SOT-23 Pacchetto: SOT-23 VDSS(V):-20V Id(A):-1.6A RDSON(Ω):75mΩ@-4.5V, -1.6A VTH：-0.7V@-250μA Codice articolo: Canale P

Datasheet 3D Modello

MOSFET di potenziamento del canale P FDN340P SOT-23 Pacchetto: SOT-23 VDSS(V):-20V Id(A):-2A RDSON(Ω):60mΩ@-4.5V, -2A VTH：-0.8V@-250μA Codice articolo: Canale P

Datasheet 3D Modello

FDV301N MOSFET di potenza a canale N SOT-23 Pacchetto: SOT-23 VDSS(V):25V Id(A):0.22A RDSON(Ω):4Ω@4.5V,0.4A VTH: 0.8 V a 250 μA Codice articolo: Canale N

Datasheet 3D Modello

MOSFET di potenziamento a canale N SOT-305 FDV23N Pacchetto: SOT-23 VDSS(V):20V Id(A):0.9A RDSON(Ω):170mΩ@4.5V, 0.9A VTH: 1 V a 250 μA Codice articolo: Canale N

Datasheet 3D Modello

MOSFET di potenziamento a canale N SOT-305 FDV23N Pacchetto: SOT-23 VDSS(V):20V Id(A):0.9A RDSON(Ω):170mΩ@4.5V,0.9A VTH: 0.6 V a 250 μA Codice articolo: Canale N

Datasheet 3D Modello

MOSFET di potenziamento del canale P IRF9317TR SOP-8 Pacchetto:SOP-8 VDSS(V):-30V Id(A):-15A RDSON(Ω):8mΩ@-10V, -10A VTH：-1.6V@250μA Codice articolo: Canale P

2SK3018 MOSFET di potenza a canale N SOT-23	OGGI-23	30V	100mA	7.5 mΩ a 10 V, 400 mA	2 V@100 uA	N-Channel
2SK3018W MOSFET di potenza a canale N SOT-323	OGGI-323	30V	300mA	8Ω@10V,3A	1.5V@250μA	N-Channel
Transistor ad effetto di campo in ossido di metallo-silicio 2SK3019	OGGI-523	30V	0.1A	8Ω@4V, 10mA	0.8V@100μA	N-Channel
2SK3019 MOSFET di potenziamento a canale N SOT-523	OGGI-523	30V	0.1A	8Ω@4V,10A	0.8V@100μA	N-Channel
MOSFET di potenziamento a canale N BSN20 SOT-23	OGGI-23	50V	3A	3Ω@4.5V	1.5V@250μA	N-Channel
MOSFET di potenziamento a canale N BSS205N SOT-23	OGGI-23	20V	2.5A	40 mΩ@4.5 V, 2.5 A	0.7V@11μA	N-Channel
Transistor a effetto di campo in modalità di miglioramento del canale P BSS84 SOT-23	OGGI-23	50V	130mA	10Ω@5V,100mA	2.5 V@250 uA	Canale P.
MOSFET di potenziamento del canale P FDN302P SOT-23	OGGI-23	-20V	-2.4A	44 mΩ@-4.5 V, -2.4 A	-1 V@-250μA	Canale P.
MOSFET di potenziamento del canale P FDN304P SOT-23	OGGI-23	-20V	-2.4A	36 mΩ@-4.5 V, -2.4 A	-0.7 V@-250μA	Canale P.
MOSFET di potenziamento del canale P FDN306P SOT-23	OGGI-23	-12V	-2.6A	30 mΩ@-4.5 V, -2.6 A	-0.7 V@-250μA	Canale P.
FDN327N MOSFET di potenza a canale N SOT-23	OGGI-23	20V	2A	40 mΩ@4.5 V, 2.0 A	0.7 V@250 uA	N-Channel
MOSFET di potenza a canale P FDN336P SOT-23	OGGI-23	-20V	-1.3A	105 mΩ@-4.5 V, -1.3 A	-0.7 V@-250 uA	Canale P.
Transistor ad effetto di campo in ossido di metallo-silicio FDN337N	OGGI-23	30V	2.2A	40 mΩ@4.5 V, 2.2 A	0.9V@250μA	N-Channel
MOSFET di potenziamento a canale N FDN337N SOT-23	OGGI-23	30V	2.2A	40 mΩ@4.5 V, 2.2 A	0.9V@250μA	N-Channel
MOSFET di potenziamento del canale P FDN338P SOT-23	OGGI-23	-20V	-1.6A	75 mΩ@-4.5 V, -1.6 A	-0.7 V@-250μA	Canale P.
MOSFET di potenziamento del canale P FDN340P SOT-23	OGGI-23	-20V	-2A	60 mΩ@-4.5 V, -2 A	-0.8 V@-250μA	Canale P.
FDV301N MOSFET di potenza a canale N SOT-23	OGGI-23	25V	0.22A	4Ω@4.5V,0.4A	0.8 V@250 uA	N-Channel
MOSFET di potenziamento a canale N SOT-305 FDV23N	OGGI-23	20V	0.9A	170 mΩ@4.5 V, 0.9 A	1V@250μA	N-Channel
MOSFET di potenziamento a canale N SOT-305 FDV23N	OGGI-23	20V	0.9A	170 mΩ@4.5 V, 0.9 A	0.6V@250μA	N-Channel
MOSFET di potenziamento del canale P IRF9317TR SOP-8	SOP-8	-30V	-15A	8 mΩ@-10 V, -10 A	-1.6 V@250 μA	Canale P.

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