MOSFET a bassa tensione | Semiconduttori Slkor

Home Categorie di prodotti Dispositivi di alimentazione discreti MOSFET MOSFET a bassa tensione

MOSFET a bassa tensione

Prodotti Documenti Dati

Scheda tecnica Modello 3D

SL30N50P Package：TO-3P VDSS(V)：500V Id(A)：20A RDSON(Ω)：180mΩ@10V P/N：N-Channel

Scheda tecnica Modello 3D

SL3420 Package：SOT-23 Id(A)：6A P/N：N-Channel VDSS(V)：20V

Scheda tecnica Modello 3D

2SK3018 MOSFET di potenza a canale N SOT-23 Package：SOT-23 VDSS(V)：30V Id(A)：100mA RDSON(Ω)：7.5mΩ@10V,400mA VTH：2V@100uA P/N：N-Channel

Scheda tecnica Modello 3D

2SK3018W MOSFET di potenza a canale N SOT-323 Package：SOT-323 VDSS(V)：30V Id(A)：300mA RDSON(Ω)：8Ω@10V,3A VTH：1.5V@250μA P/N：N-Channel

Scheda tecnica Modello 3D

2SK3019 MOSFET di potenziamento a canale N SOT-523 Package：SOT-523 VDSS(V)：30V Id(A)：0.1A RDSON(Ω)：8Ω@4V,10A VTH：0.8V@100μA P/N：N-Channel

Scheda tecnica Modello 3D

FDN327N MOSFET di potenza a canale N SOT-23 Package：SOT-23 VDSS(V)：20V Id(A)：2A RDSON(Ω)：40mΩ@4.5V,2.0A VTH：0.7V@250uA P/N：N-Channel

Scheda tecnica Modello 3D

FDV301N MOSFET di potenza a canale N SOT-23 Package：SOT-23 VDSS(V)：25V Id(A)：0.22A RDSON(Ω)：4Ω@4.5V,0.4A VTH：0.8V@250uA P/N：N-Channel

Scheda tecnica Modello 3D

IRLML6401 MOSFET di potenza a canale P SOT-23 Package：SOT-23 VDSS(V)：30V Id(A)：1μA RDSON(Ω)：70mΩ@4.5V VTH：10V P/N：P-Channel

Scheda tecnica Modello 3D

IRLML6402 MOSFET di potenza a canale P SOT-23 Package：SOT-23 VDSS(V)：-20V Id(A)：-3.7A RDSON(Ω)：0.05Ω@-4.5V, -3.7A VTH：-0.55V P/N：P-Channel

Scheda tecnica Modello 3D

MOSFET SOT-4606 con potenziamento del canale N+P SL8A Package：SOT-8 VDSS(V)：30V Id(A)：6A RDSON(Ω)：19mΩ@10V,5.6A VTH：1.5V@250μA P/N：N+P-Channel

Scheda tecnica Modello 3D

MOSFET di potenza a canale N e canale P SL420NPD TO-252-4 Package：TO-252-4 VDSS(V)：40V Id(A)：1μA VTH：1.5V P/N：N-Channel and P-Channel

Scheda tecnica Modello 3D

MOSFET di potenza a canale P FDN336P SOT-23 Package：SOT-23 VDSS(V)：-20V Id(A)：-1.3A RDSON(Ω)：105mΩ@-4.5V,-1.3A VTH：-0.7V@-250uA P/N：P-Channel

Scheda tecnica Modello 3D

MOSFET di potenza a canale P SL3139K SOT-723 Package：SOT-723 VDSS(V)：20V Id(A)：0.66A RDSON(Ω)：520mΩ@4.5V,1A VTH：0.45V@250μA P/N：P-Channel

Scheda tecnica Modello 3D

MOSFET di potenza a canale P SL3139T SOT-523 Package：SOT-523 VDSS(V)：-20V Id(A)：-0.66A RDSON(Ω)：520mΩ@-4.5V,-1A VTH：-0.35V@-250μA P/N：P-Channel

Scheda tecnica Modello 3D

MOSFET di potenza a canale P SL403 TO-252-3 Package：TO-252-3 VDSS(V)：-30V Id(A)：-70A RDSON(Ω)：5.1mΩ@-20V,-20A VTH：2.5V@-250uA P/N：P-Channel

Scheda tecnica Modello 3D

MOSFET di potenza a canale P SL4184 TO-252 Package：TO-252 VDSS(V)：40V Id(A)：60A RDSON(Ω)：7.9mΩ@10V,20A VTH：1.6V@250uA P/N：P-Channel

Scheda tecnica Modello 3D

MOSFET di potenziamento a canale N BSN20 SOT-23 Package：SOT-23 VDSS(V)：50V Id(A)：3A RDSON(Ω)：3Ω@4.5V VTH：1.5V@250μA P/N：N-Channel

Scheda tecnica Modello 3D

MOSFET di potenziamento a canale N BSS205N SOT-23 Package：SOT-23 VDSS(V)：20V Id(A)：2.5A RDSON(Ω)：40mΩ@4.5V,2.5A VTH：0.7V@11μA P/N：N-Channel

Scheda tecnica Modello 3D

MOSFET di potenziamento a canale N FDN337N SOT-23 Package：SOT-23 VDSS(V)：30V Id(A)：2.2A RDSON(Ω)：40mΩ@4.5V,2.2A VTH：0.9V@250μA P/N：N-Channel

Scheda tecnica Modello 3D

MOSFET di potenziamento a canale N SL130N04Q DFN5x6-8 Package：DFN5x6-8 VDSS(V)：40V Id(A)：100A RDSON(Ω)：1.7mΩ@10V,30A VTH：2.4V@250μA P/N：N-Channel

SL30N50P	TO-3P	500V	20A	180mΩ@10V	N-Channel
SL3420	SOT-23	6A	N-Channel	20V
2SK3018 MOSFET di potenza a canale N SOT-23	SOT-23	30V	100mA	7.5mΩ@10V,400mA	2V@100uA	N-Channel
2SK3018W MOSFET di potenza a canale N SOT-323	SOT-323	30V	300mA	8Ω@10V,3A	1.5V@250μA	N-Channel
2SK3019 MOSFET di potenziamento a canale N SOT-523	SOT-523	30V	0.1A	8Ω@4V,10A	0.8V@100μA	N-Channel
FDN327N MOSFET di potenza a canale N SOT-23	SOT-23	20V	2A	40mΩ@4.5V,2.0A	0.7V@250uA	N-Channel
FDV301N MOSFET di potenza a canale N SOT-23	SOT-23	25V	0.22A	4Ω@4.5V,0.4A	0.8V@250uA	N-Channel
IRLML6401 MOSFET di potenza a canale P SOT-23	SOT-23	30V	1μA	70mΩ@4.5V	10V	P-Channel
IRLML6402 MOSFET di potenza a canale P SOT-23	SOT-23	-20V	-3.7A	0.05Ω@-4.5V, -3.7A	-0.55V	P-Channel
MOSFET SOT-4606 con potenziamento del canale N+P SL8A	SOT-8	30V	6A	19mΩ@10V,5.6A	1.5V@250μA	N+P-Channel
MOSFET di potenza a canale N e canale P SL420NPD TO-252-4	TO-252-4	40V	1μA	1.5V	N-Channel and P-Channel
MOSFET di potenza a canale P FDN336P SOT-23	SOT-23	-20V	-1.3A	105mΩ@-4.5V,-1.3A	-0.7V@-250uA	P-Channel
MOSFET di potenza a canale P SL3139K SOT-723	SOT-723	20V	0.66A	520mΩ@4.5V,1A	0.45V@250μA	P-Channel
MOSFET di potenza a canale P SL3139T SOT-523	SOT-523	-20V	-0.66A	520mΩ@-4.5V,-1A	-0.35V@-250μA	P-Channel
MOSFET di potenza a canale P SL403 TO-252-3	TO-252-3	-30V	-70A	5.1mΩ@-20V,-20A	2.5V@-250uA	P-Channel
MOSFET di potenza a canale P SL4184 TO-252	TO-252	40V	60A	7.9mΩ@10V,20A	1.6V@250uA	P-Channel
MOSFET di potenziamento a canale N BSN20 SOT-23	SOT-23	50V	3A	3Ω@4.5V	1.5V@250μA	N-Channel
MOSFET di potenziamento a canale N BSS205N SOT-23	SOT-23	20V	2.5A	40mΩ@4.5V,2.5A	0.7V@11μA	N-Channel
MOSFET di potenziamento a canale N FDN337N SOT-23	SOT-23	30V	2.2A	40mΩ@4.5V,2.2A	0.9V@250μA	N-Channel
MOSFET di potenziamento a canale N SL130N04Q DFN5x6-8	DFN5x6-8	40V	100A	1.7mΩ@10V,30A	2.4V@250μA	N-Channel

Linea diretta di assistenza

tel: +86 755 83044319

Whatsapp:+8618073002950

ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.

Le linee di prodotto di SLKOR includono dispositivi discreti, come diodi, transistor, dispositivi di potenza; e chip a circuito integrato, come regolatori lineari, chip DC/DC, chip di interfaccia, sensori Hall, ADC e BMS... Abbiamo anni di tecnologia accumulata sui semiconduttori dedicati.

Email: slkoric@slkormicro.com

Whatsapp:+8618073002950

Telefono: +86 755 83044319

Building T2, Lijincheng Industrial Center, Jihua Road, Longhua District,Shenzhen,518109,China

Contatto

粤ICP备20017602号