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MOSFET di potenza a canale N e canale P SL420NPD TO-252-4

● Tecnologia Trench avanzata ad alta densità cellulare

● Basso RDS(ON) per ridurre al minimo le perdite conduttive

● Bassa carica di gate per una commutazione rapida

Descrizione generale
L'SL420NPD combina la tecnologia avanzata MOSFET a trench con un pacchetto a bassa resistenza per fornire R estremamente bassoDS (ON) Questo dispositivo è ideale per applicazioni di commutazione del carico e di protezione della batteria.
Caratteristiche

■ Avanzata tecnologia Trench ad alta densità cellulare

■ Bassa RDS(ON) per ridurre al minimo la perdita conduttiva

■ Carica gate ridotta per una commutazione rapida

■ Bassa resistenza termica

Applicazione

■ Vcore MB/VGA

■ Secondo raddrizzatore sincrono SMPS

■ Applicazione POL

■ Driver del motore BLDC 


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