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MOSFET de puissance à canal N et canal P SL420NPD TO-252-4

● Technologie de tranchée avancée à haute densité cellulaire

● Faible RDS(ON) pour minimiser les pertes par conduction

● Faible charge de grille pour une commutation rapide

Description générale
Le SL420NPD combine une technologie MOSFET à tranchée avancée avec un boîtier à faible résistance pour fournir une résistance R extrêmement faibleDS (ON) . Cet appareil est idéal pour les applications de commutateur de charge et de protection de batterie.
Fonctionnalité

■ Technologie avancée de tranchée à haute densité cellulaire

■ Faible RDS(ON) pour minimiser la perte conductrice

■ Faible charge de grille pour une commutation rapide

■ Faible résistance thermique

Application

■ Mo/VGA Vcore

■ SMPS 2ème redresseur synchrone

■ Demande de POL

■ Pilote de moteur BLDC 


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