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MOSFET SOT-20 d'amélioration du canal N BSN23

● Faible capacité d'entrée

● Vitesse de commutation rapide

● Faible fuite d'entrée/sortie

Informations sur le produit
●VDS     50V
● JeD      300mA
●RDS (ON)(à VGS=10V) <2.5ohm
●RDS (ON)(à VGS=4.5V) <3.0ohm

Description générale
● Technologie MOSFET Trench Power MV
● Petit interrupteur de signal contrôlé par tension
● Faible capacité d'entrée
● Vitesse de commutation rapide
● Faible fuite d'entrée/sortie

Applications
● Systèmes fonctionnant sur batterie
● Relais statiques
● Interface de niveau logique directe : TTL/CMOS



Nom
Titre
Description
Fiche technique
Support

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Longévité

 

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