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MOSFET SOT-20 de aprimoramento de canal N BSN23

● Baixa capacitância de entrada

● Velocidade de troca rápida

● Baixo vazamento de entrada/saída

sumario de produtos
●VDS     50V
EuD      300mA
●RDS (ON)(em VGS=10V) <2.5ohm
●RDS (ON)(em VGS=4.5V) <3.0ohm

Descrição geral
● Tecnologia Trench Power MV MOSFET
● Interruptor de pequeno sinal controlado por tensão
● Baixa capacitância de entrada
● Velocidade de troca rápida
● Baixo vazamento de entrada/saída

Aplicações
● Sistemas operados por bateria
● Relés de estado sólido
● Interface de nível lógico direto: TTL/CMOS



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