Produtos
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FDN306P MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal P

● Tecnologia Trench Power LV MOSFET

● Design de célula de alta densidade para baixo RDS(ON)

● Comutação de alta velocidade

Nossas vantagens
Os processos de fabricação chineses passaram por anos de iteração, resultando em tecnologias maduras e confiáveis. Muitas empresas internacionais optam pela terceirização da produção na China. Como fabricante de componentes eletrônicos na China, nossos produtos podem substituir totalmente os das principais marcas internacionais em 99% das aplicações, sem a necessidade de verificação de testes. Nossos produtos apresentam alta consistência em qualidade, preços razoáveis, amplo estoque, fornecimento flexível, prazos de entrega curtos e serviço pós-venda profissional. 


Descrição geral

O MOSFET de aprimoramento de canal P FDN306P foi projetado para oferecer desempenho robusto em aplicações de tensão negativa, alojado em um pacote SOT-23 compacto. Este MOSFET é otimizado para comutação de alta eficiência e perda mínima de energia, tornando-o a escolha ideal para uma variedade de circuitos eletrônicos que operam com tensões negativas.

Diferenciais

● Tecnologia Trench Power LV MOSFET

● Design de célula de alta densidade para baixo RDS(ON)

● Comutação de alta velocidade


Aplicações

● Proteção da bateria 

● Interruptor de carga 

● Gerenciamento de energia




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Suporte

 

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Longevidade

 

O Programa de Longevidade visa fornecer aos nossos clientes informações periódicas sobre o prazo previsto para a disponibilidade dos nossos produtos. O Programa de Longevidade é revisto e atualizado regularmente pela nossa Equipa de Gestão Executiva. Consulte o nosso Programa de Longevidade aqui.

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