Service Hotline
● Trench Power LV MOSFET-technologie
● Celontwerp met hoge dichtheid voor lage RDS(AAN)
● Hogesnelheidsschakeling
Onze voordelen
Chinese productieprocessen hebben jaren van iteratie ondergaan, resulterend in volwassen en betrouwbare technologieën. Veel internationale bedrijven kiezen voor productie-outsourcing in China. Als fabrikant van elektronische componenten in China kunnen onze producten die van grote internationale merken in 99% van de toepassingen volledig vervangen zonder dat er testverificatie nodig is. Onze producten beschikken over een hoge consistentie in kwaliteit, redelijke prijzen, ruime voorraad, flexibel aanbod, korte doorlooptijden en professionele after-sales service.
Algemene beschrijving
De FDN306P P-Channel Enhancement MOSFET is ontworpen om robuuste prestaties te bieden in toepassingen met negatieve spanning, gehuisvest in een compact SOT-23-pakket. Deze MOSFET is geoptimaliseerd voor zeer efficiënt schakelen en minimaal vermogensverlies, waardoor het een ideale keuze is voor een verscheidenheid aan elektronische circuits die met negatieve spanningen werken.
Kenmerken
● Trench Power LV MOSFET-technologie
● Celontwerp met hoge dichtheid voor lage RDS(AAN)
● Hogesnelheidsschakeling
Toepassingen
● Batterijbescherming
● Lastschakelaar
● Energiebeheer
Support
Als u ontwerp- of technische ondersteuning nodig heeft, laat het ons dan weten en vul het reactieformulier in. We nemen zo snel mogelijk contact met u op.
Duurzaamheid
Het Levensduurprogramma is bedoeld om onze klanten periodiek te informeren over de verwachte levertijd van onze producten. Het programma wordt regelmatig herzien en bijgewerkt door ons managementteam. Bekijk ons levensduurprogramma hier.















