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Produits
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MOSFET SOT-306 d'amélioration de canal P FDN23P
● Technologie MOSFET BT Trench Power
● Conception de cellules haute densité pour un faible RDS(ON)
● Commutation haute vitesse
Nos avantages
Les processus de fabrication chinois ont subi des années d’itération, aboutissant à des technologies matures et fiables. De nombreuses entreprises internationales optent pour l’externalisation de leur production en Chine. En tant que fabricant de composants électroniques en Chine, nos produits peuvent remplacer entièrement ceux des grandes marques internationales dans 99 % des applications sans avoir besoin de tests de vérification. Nos produits offrent une qualité élevée, des prix raisonnables, un inventaire important, un approvisionnement flexible, des délais de livraison courts et un service après-vente professionnel.
Description générale
Le MOSFET à amélioration de canal P FDN306P est conçu pour offrir des performances robustes dans les applications à tension négative, logé dans un boîtier SOT-23 compact. Ce MOSFET est optimisé pour une commutation à haut rendement et une perte de puissance minimale, ce qui en fait un choix idéal pour une variété de circuits électroniques fonctionnant avec des tensions négatives.
Fonctionnalité
● Technologie MOSFET BT Trench Power
● Conception de cellule haute densité pour un faible RDS(ON)
● Commutation haute vitesse
Applications
● Protection de la batterie
● Interrupteur de charge
● Gestion de l'alimentation
Nom
Titre
Description
Fiche technique
Support
Assistance
Si vous avez besoin d'assistance technique ou en matière de conception, veuillez nous le faire savoir et remplir le formulaire de réponse. Nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
Longévité
Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.
SL30N50P
Marque: slkor， Package： TO-3P VDSS(V)： 500V Id(A)： 20A RDSON(Ω)： 180mΩ@10V P/N： N-Channel
SL3420
Marque: slkor， Package： SOT-23 Id(A)： 6A P/N： N-Channel VDSS(V)： 20V
IRF9317TR MOSFET d'amélioration du canal P SOP-8
Marque: slkor， Package： SOP-8 VDSS(V)： -30V Id(A)： -15A RDSON(Ω)： 8mΩ@-10V, -10A VTH： -1.6V@250μA P/N： P-Channel
IRLML6401 MOSFET de puissance canal P SOT-23
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 1μA RDSON(Ω)： 70mΩ@4.5V VTH： 10V P/N： P-Channel
IRLML6402 MOSFET de puissance canal P SOT-23
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -3.7A RDSON(Ω)： 0.05Ω@-4.5V, -3.7A VTH： -0.55V P/N： P-Channel
MOSFET SOT-2 d'amélioration de canal N 3019SK523
Marque: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
MOSFET SOT-20 d'amélioration du canal N BSN23
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
MOSFET SOT-205 d'amélioration du canal N BSS23N
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N-Channel
MOSFET SOT-2301 d'amélioration de canal P SL23D
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.3A RDSON(Ω)： 95mΩ@-4.5V,-2.5A VTH： -0.62V@-250μA P/N： P-Channel
MOSFET SOT-2302 d'amélioration du canal N SL23D
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： -2.5A RDSON(Ω)： 50mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@250μA P/N： N-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Les gammes de produits de SLKOR incluent des dispositifs discrets, etc., diodes, transistors, dispositifs de puissance ; et des puces de circuits intégrés, etc., régulateurs linéaires, puces DC/DC, puces d'interface, capteurs à effet Hall, CAN et BMS... Nous avons des années de technologie accumulée sur les semi-conducteurs dédiés.
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