Ligne d'assistance
● Conception de cellules à haute densité pour une RDS(ON) extrêmement faible
● Résistance à l'enclenchement exceptionnelle et valeur maximale
● Capacité de courant continu
Transistor à effet de champ à mode d'amélioration du canal P
| V(BR)DSS | RDS (activé)MAX | ID |
| -30V | 60 mΩ @-10 V | -4.2A |
| 70 mΩ @-4.5 V | ||
| 85 mΩ @-2.5 V |
CARACTÉRISTIQUES
● Conception de cellules à haute densité pour une résistance DS(ON) extrêmement faible
● Résistance à l'enclenchement exceptionnelle et valeur maximale
● Capacité de courant continu
INSCRIPTION
● Interrupteur de charge pour appareils portables
● Convertisseur DC / DC
Assistance
Si vous avez besoin d'assistance technique ou en matière de conception, veuillez nous le faire savoir et remplir le formulaire de réponse. Nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
Longévité
Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.















