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IRLML6401 P-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-23

● Hochdichtes Zelldesign für extrem niedrigen RDS(ON)-Wert

● Außergewöhnlicher Einschaltwiderstand und maximale

● Gleichstromfähigkeit

Unsere Vorteile

Das im SOT-23-Gehäuse untergebrachte Gerät zeichnet sich durch einen kompakten Formfaktor und hohe Leistungsfähigkeit aus und eignet sich daher gut für Niederspannungsanwendungen.

Beschreibung


Der SL3409 ist ein P-Kanal-Niederspannungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung (Vdss) von 30 V und einem Dauerstrom (Id) von 2.2 A. Unter Testbedingungen von 10 V und 2.2 A weist er einen Durchlasswiderstand (RDS(on)@Vgs,Id) von 130 mΩ auf. Seine Gate-Source-Schwellenspannung (Vgs(th)@Id) beträgt 2.4 V bei 250 μA.


FEATURE

● Hochdichtes Zelldesign für extrem niedrigen R DS(ON)

● Außergewöhnlicher Einschaltwiderstand und maximale

● Gleichstromfähigkeit

ANWENDUNGEN

● Lastschalter für tragbare Geräte

● DC / DC-Wandler


Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Unterstützung

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