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BSS205N N-Kanal-Verstärkungs-MOSFET SOT-23

● Trench Power LV MOSFET-Technologie

● Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit

Beschreibung
Der BSS205N N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET SOT-23 ist ein vielseitiges und leistungsstarkes Halbleiterbauteil, das für zuverlässige und effiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde. Mit einer robusten maximalen Drain-Source-Spannung von 20 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 2.5 A bietet dieser MOSFET eine hervorragende Leistungshandhabung und einen geringen Widerstand für eine Vielzahl elektronischer Schaltkreise.

Eigenschaften

Trench Power LV MOSFET-Technologie

Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit


Anwendung

PWM-Anwendung

● Lastschalter



Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
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