Service-Hotline
● Trench Power LV MOSFET-Technologie
● Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit
Beschreibung
Der BSS205N N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET SOT-23 ist ein vielseitiges und leistungsstarkes Halbleiterbauteil, das für zuverlässige und effiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde. Mit einer robusten maximalen Drain-Source-Spannung von 20 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 2.5 A bietet dieser MOSFET eine hervorragende Leistungshandhabung und einen geringen Widerstand für eine Vielzahl elektronischer Schaltkreise.
Eigenschaften
● Trench Power LV MOSFET-Technologie
● Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit
Anwendung
● PWM-Anwendung
● Lastschalter
Unterstützung
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Langlebigkeit
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