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SL3420 N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-23
Dieser N-Kanal-Niederspannungs-MOSFET nutzt fortschrittliche Trench-Technologie und bietet dadurch einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) und eine geringe Gate-Ladung. Dank seiner hohen Strombelastbarkeit, des stabilen Schaltverhaltens und des geringen Stromverbrauchs eignet sich der SL3420 für eine Vielzahl von Niederspannungs-Schalt- und Energiemanagementanwendungen.
Allgemeine Beschreibung
Dieser N-Kanal-Niederspannungs-MOSFET nutzt fortschrittliche Trench-Technologie und bietet dadurch einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) und eine geringe Gate-Ladung. Dank seiner hohen Strombelastbarkeit, des stabilen Schaltverhaltens und des geringen Stromverbrauchs eignet sich der SL3420 für eine Vielzahl von Niederspannungs-Schalt- und Energiemanagementanwendungen.
Eigenschaften
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VDS=20V, ID=6.0A (TA=25℃), ID=4.0A (TA=70℃), IDM=15.0A
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VGS=±12V weiter Gate-Ansteuerspannungsbereich
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Extrem niedriger RDS(on)-Wert und geringe Gate-Ladung für hohe Effizienz
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Maximale Verlustleistung: 1 W
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Breiter Betriebstemperaturbereich: -55℃ ~ 150℃
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Hervorragende Wärmeableitung und hohe Stoßstromfestigkeit
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Umweltfreundliche grüne Verpackungen erhältlich
Unsere Vorteile
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Die chinesischen Fertigungsprozesse wurden über Jahre hinweg iterativ optimiert, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien geführt hat. Viele internationale Konzerne entscheiden sich daher für die Auslagerung ihrer Produktion nach China.
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Als professioneller chinesischer Hersteller elektronischer Bauteile kann Slkors SL3420 in 99 % der Anwendungsszenarien Geräte internationaler Mainstream-Marken ohne zusätzliche Testüberprüfung vollständig ersetzen.
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Garantierte gleichbleibend hohe Qualität, kostengünstige Preise, ausreichender Lagerbestand und flexible Lieferfähigkeit.
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Kurze Lieferzeiten und professioneller technischer Kundendienst, um den Anforderungen der Massenproduktion gerecht zu werden.
Anwendungen
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PWM-Steuerungsanwendungen
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Lastschaltkreise
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Batterieschutz- und Energiemanagementsysteme
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Ansteuerschaltungen für Motor, Lüfter und Summer
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Unterhaltungselektronik und Smart-Home-Geräte
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LED-Beleuchtungstreiber- und Niederspannungssteuermodule
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Unterstützung
2SK3018 N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N-Channel
2SK3018W N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-323
Marke: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
2SK3019 Metalloxid-Silizium-Feldeffekttransistoren
Marke: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V, 10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
2SK3019 N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET SOT-523
Marke: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
BSN20 N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
BSS205N N-Kanal-Verstärkungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N-Channel
BSS84 P-Kanal-Erweiterungsmodus-Feldeffekttransistor SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA RDSON(Ω)： 10Ω@5V,100mA VTH： 2.5V@250uA P/N： P-Channel
FDN302P P-Kanal-Verbesserungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P-Channel
FDN304P P-Kanal-Verbesserungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN306P P-Kanal-Verbesserungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -12V Id(A)： -2.6A RDSON(Ω)： 30mΩ@-4.5V, -2.6A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Das Produktsortiment von SLKOR umfasst diskrete Bauelemente wie Dioden, Transistoren und Leistungshalbleiter sowie integrierte Schaltkreise wie Linearregler, DC/DC-Wandler, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS. Wir verfügen über jahrelange Erfahrung in der Halbleitertechnik.
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