ลักษณะโดยทั่วไป
MOSFET แรงดันต่ำแบบ N-Channel นี้ใช้เทคโนโลยีการออกแบบร่องลึกขั้นสูง ทำให้ได้ค่าความต้านทานขณะเปิด (RDS(on)) ต่ำมาก และประจุที่เกตต่ำ SL3420 มีคุณสมบัติเด่นคือ ความสามารถในการรับกระแสสูง ประสิทธิภาพการสวิตช์ที่เสถียร และการใช้พลังงานต่ำ เหมาะสำหรับงานสวิตช์แรงดันต่ำและการจัดการพลังงานที่หลากหลาย
คุณสมบัติ
-
VDS=20V, ID=6.0A (TA=25℃), ID=4.0A (TA=70℃), IDM=15.0A
-
VGS = ช่วงแรงดันขับเกตกว้าง ±12V
-
ค่า RDS(on) ต่ำมากและประจุเกตต่ำเพื่อประสิทธิภาพสูง
-
การกระจายพลังงานสูงสุด: 1W
-
ช่วงอุณหภูมิการทำงานกว้าง: -55℃ ถึง 150℃
-
ระบายความร้อนได้ดีเยี่ยมและรองรับกระแสไฟกระชากสูง
-
มีบรรจุภัณฑ์สีเขียวที่เป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อมให้บริการ
ข้อดีของเรา
-
กระบวนการผลิตของจีนได้รับการพัฒนาปรับปรุงมาหลายปี ส่งผลให้เทคโนโลยีมีความสมบูรณ์และน่าเชื่อถือ บริษัทข้ามชาติหลายแห่งจึงเลือกที่จะว่าจ้างการผลิตในจีน
-
ในฐานะผู้ผลิตชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มืออาชีพจากประเทศจีน SL3420 ของ Slkor สามารถทดแทนอุปกรณ์แบรนด์หลักระดับสากลได้อย่างสมบูรณ์ใน 99% ของสถานการณ์การใช้งาน โดยไม่ต้องทำการทดสอบตรวจสอบเพิ่มเติม
-
รับประกันคุณภาพที่สม่ำเสมอในระดับสูง ราคาคุ้มค่า มีสินค้าคงคลังเพียงพอ และการจัดหาที่ยืดหยุ่น
-
ระยะเวลานำส่งที่สั้นและบริการหลังการขายทางเทคนิคอย่างมืออาชีพ เพื่อตอบสนองความต้องการการผลิตจำนวนมาก
การใช้งาน
-
แอปพลิเคชันควบคุม PWM
-
วงจรสลับโหลด
-
ระบบป้องกันแบตเตอรี่และระบบจัดการพลังงาน
-
วงจรขับมอเตอร์ พัดลม และเสียงเตือน
-
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภคและอุปกรณ์สมาร์ทโฮม
-
โมดูลขับเคลื่อนไฟ LED และโมดูลควบคุมแรงดันต่ำ