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SL3420 MOSFET de potência canal N SOT-23
Este MOSFET de canal N de baixa tensão adota um design avançado com tecnologia de trincheira, proporcionando uma resistência de condução (RDS(on)) ultrabaixa e baixa carga de porta. Com alta capacidade de corrente, desempenho de comutação estável e baixo consumo de energia, o SL3420 é adequado para uma ampla gama de aplicações de comutação de baixa tensão e gerenciamento de energia.
Descrição geral
Este MOSFET de canal N de baixa tensão adota um design avançado com tecnologia de trincheira, proporcionando uma resistência de condução (RDS(on)) ultrabaixa e baixa carga de porta. Com alta capacidade de corrente, desempenho de comutação estável e baixo consumo de energia, o SL3420 é adequado para uma ampla gama de aplicações de comutação de baixa tensão e gerenciamento de energia.
Diferenciais
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VDS=20V, ID=6.0A (TA=25℃), ID=4.0A (TA=70℃), IDM=15.0A
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VGS = ±12V ampla faixa de tensão de acionamento do gate
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RDS(on) ultrabaixo e baixa carga de porta para alta eficiência
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Dissipação máxima de energia: 1W
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Ampla faixa de temperatura operacional: -55℃ ~ 150℃
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Excelente dissipação térmica e alta capacidade de corrente de pico.
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Embalagem ecológica disponível
Nossas Vantagens
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Os processos de fabricação chineses passaram por anos de aprimoramento, resultando em tecnologias maduras e confiáveis. Muitas corporações internacionais optam pela terceirização da produção na China.
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Como fabricante profissional de componentes eletrônicos na China, a Slkor afirma que o SL3420 pode substituir completamente os dispositivos das principais marcas internacionais em 99% dos cenários de aplicação, sem necessidade de testes adicionais de verificação.
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Garantia de alta qualidade consistente, preços competitivos, estoque suficiente e fornecimento flexível.
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Prazos de entrega curtos e suporte técnico pós-venda profissional para atender às demandas de produção em massa.
Aplicações
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aplicações de controle PWM
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Circuitos de comutação de carga
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Sistemas de proteção de bateria e gerenciamento de energia
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Circuitos de acionamento de motor, ventilador e campainha
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Eletrônicos de consumo e dispositivos para casas inteligentes
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Módulos de controle de baixa tensão e acionamento de iluminação LED
Nome
Título
Descrição
Ficha de dados
Suporte
2SK3018 MOSFET de potência de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N-Channel
2SK3018W MOSFET de potência de canal N SOT-323
Marcas: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
2SK3019 MOSFET de aprimoramento de canal N SOT-523
Marcas: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
FDN302P MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal P
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P-Channel
FDN304P MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal P
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN306P MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal P
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -12V Id(A)： -2.6A RDSON(Ω)： 30mΩ@-4.5V, -2.6A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN327N MOSFET de potência de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.0A VTH： 0.7V@250uA P/N： N-Channel
FDN336P Canal P MOSFET SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -1.3A RDSON(Ω)： 105mΩ@-4.5V,-1.3A VTH： -0.7V@-250uA P/N： P-Channel
FDN337N MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal N
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 2.2A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.2A VTH： 0.9V@250μA P/N： N-Channel
FDN338P MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal P
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -1.6A RDSON(Ω)： 75mΩ@-4.5V, -1.6A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
As linhas de produtos da SLKOR incluem dispositivos discretos, como diodos, transistores e dispositivos de potência; e circuitos integrados, como reguladores lineares, conversores DC/DC, chips de interface, sensores Hall, conversores analógico-digitais (ADCs) e sistemas de gerenciamento de bateria (BMS). Possuímos anos de tecnologia acumulada em semicondutores dedicados.
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