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2SK3018W MOSFET de potência de canal N SOT-323

● Baixa capacitância de entrada

● Velocidade de troca rápida

● Baixo vazamento de entrada/saída

sumario de produtos
●VDS 30V
EuD 300mA
●RDS (ON)(em VGS=10V) <8.0ohm
●RDS (ON)(em VGS=4.5V) <13.0ohm
● Protegido contra ESD até 2.5 kV (HBM)

Descrição geral
● Tecnologia Trench Power MV MOSFET
● Interruptor de pequeno sinal controlado por tensão
● Baixa capacitância de entrada
● Velocidade de troca rápida
● Baixo vazamento de entrada/saída

Aplicações
● Sistemas operados por bateria
● Relés de estado sólido
● Interface de nível lógico direto: TTL/CMOS



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