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Produkte
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FDN302P P-Kanal-Verbesserungs-MOSFET SOT-23
● Trench Power LV MOSFET-Technologie
● Hochdichtes Zelldesign für niedrigen RDS(ON)
● High-Speed-Umschaltung
Unsere Vorteile
Chinesische Herstellungsprozesse wurden jahrelang iteriert, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien führte. Viele internationale Konzerne entscheiden sich für die Auslagerung der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte in 99 % der Anwendungen die Produkte großer internationaler Marken vollständig ersetzen, ohne dass eine Testverifizierung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonstanz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Lieferung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus.
Allgemeine Beschreibung
Der FDN302P P-Kanal-Verbesserungs-MOSFET ist für optimale Leistung in Anwendungen mit negativer Spannung ausgelegt. Dieser MOSFET wird in einem kompakten SOT-23-Gehäuse präsentiert und bietet effizientes Schalten und niedrigen Einschaltwiderstand. Damit ist er ideal für die Energieverwaltung und -steuerung in elektronischen Schaltkreisen, die mit negativen Spannungen arbeiten.
Eigenschaften
● Trench Power LV MOSFET-Technologie
● Hochdichtes Zelldesign für niedrigen RDS(ON)
● High-Speed-Umschaltung
Anwendungen
● Batterieschutz
● Lastschalter
● Energieverwaltung
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Support
Unterstützung
Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.
Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.
SL30N50P
Marke: slkor， Package： TO-3P VDSS(V)： 500V Id(A)： 20A RDSON(Ω)： 180mΩ@10V P/N： N-Channel
SL3420
Marke: slkor， Package： SOT-23 Id(A)： 6A P/N： N-Channel VDSS(V)： 20V
2SK3018 N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N-Channel
2SK3018W N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-323
Marke: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
2SK3019 Metalloxid-Silizium-Feldeffekttransistoren
Marke: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V, 10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
2SK3019 N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET SOT-523
Marke: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
BSN20 N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
BSS205N N-Kanal-Verstärkungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N-Channel
BSS84 P-Kanal-Erweiterungsmodus-Feldeffekttransistor SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA RDSON(Ω)： 10Ω@5V,100mA VTH： 2.5V@250uA P/N： P-Channel
FDN304P P-Kanal-Verbesserungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
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