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SL30N50P N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-3P
Der SL30N50P ist ein N-Kanal-Hochspannungs-Leistungs-MOSFET von Slkor Semiconductor, der im modernen Trench-Prozessverfahren gefertigt wird. Das im Standard-TO-3P-Gehäuse erhältliche Bauteil zeichnet sich durch eine Hochspannungsfestigkeit von 500 V, eine Dauerstrombelastbarkeit von 20 A und einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand aus. Es bietet geringe Leitungsverluste, schnelle Schaltzeiten und hervorragende thermische Stabilität. Dank seiner ausgewogenen elektrischen Eigenschaften und hohen Zuverlässigkeit findet der SL30N50P breite Anwendung in Schaltnetzteilen mittlerer und hoher Leistung, Wechselrichtern und industriellen Steuerschaltungen und stellt somit eine ideale, kostengünstige Lösung für Leistungselektronik dar.
Allgemeine Beschreibung
Der SL30N50P ist ein N-Kanal-Hochspannungs-Leistungs-MOSFET von Slkor Semiconductor, der im modernen Trench-Prozessverfahren gefertigt wird. Das im Standard-TO-3P-Gehäuse erhältliche Bauteil zeichnet sich durch eine Hochspannungsfestigkeit von 500 V, eine Dauerstrombelastbarkeit von 20 A und einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand aus. Es bietet geringe Leitungsverluste, schnelle Schaltzeiten und hervorragende thermische Stabilität. Dank seiner ausgewogenen elektrischen Eigenschaften und hohen Zuverlässigkeit findet der SL30N50P breite Anwendung in Schaltnetzteilen mittlerer und hoher Leistung, Wechselrichtern und industriellen Steuerschaltungen und stellt somit eine ideale, kostengünstige Lösung für Leistungselektronik dar.
Eigenschaften
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N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET
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Hochspannungsfestigkeit: VDSS = 500 V
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Hohe Strombelastbarkeit: Dauerstrom bis zu 20 A
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Extrem niedriger Einschaltwiderstand: RDS(ON) = 180 mΩ bei VGS = 10 V
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Standard-TO-3P-Gehäuse mit hervorragender Wärmeableitung
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Niedrige Gate-Ladung und hohe Schaltgeschwindigkeit
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Hohe Stoßstromfestigkeit und stabiles Betriebsverhalten
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Umweltfreundliche, grüne Verpackungsoption verfügbar
Unsere Vorteile
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Die chinesischen Fertigungsprozesse wurden über Jahre hinweg iterativ optimiert, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien geführt hat. Viele internationale Konzerne entscheiden sich daher für die Auslagerung ihrer Produktion nach China.
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Als professioneller chinesischer Hersteller elektronischer Bauteile kann Slkors SL30N50P in 99 % der Anwendungsszenarien Geräte internationaler Mainstream-Marken ohne zusätzliche Testüberprüfung vollständig ersetzen.
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Ausgezeichnete Chargenkonstanz, stabile elektrische Parameter und geringe Leistungsdämpfung.
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Angemessener Preis, ausreichender Lagerbestand und flexible Lieferfähigkeit zur Unterstützung von Großbestellungen.
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Kurze Lieferzeiten und professioneller technischer Kundendienst reduzieren die Forschungs- und Entwicklungskosten sowie die Beschaffungskosten unserer Kunden.
Anwendungen
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Industrielle Schaltnetzteile und Netzadapter
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Hochleistungs-PWM-Steuerungs- und Wechselrichterschaltungen
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Gleichstrommotorantriebe und industrielle Lüftersteuerungssysteme
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Energiespeichergeräte und Batterielademanagementmodule
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Leistungssteuerungseinheiten für die industrielle Automatisierung
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Anwendungen für Hochstrom-Lastschaltung und Energiemanagement
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Unterstützung
2SK3018 N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N-Channel
2SK3018W N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-323
Marke: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
2SK3019 Metalloxid-Silizium-Feldeffekttransistoren
Marke: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V, 10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
2SK3019 N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET SOT-523
Marke: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
BSN20 N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
BSS205N N-Kanal-Verstärkungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N-Channel
BSS84 P-Kanal-Erweiterungsmodus-Feldeffekttransistor SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA RDSON(Ω)： 10Ω@5V,100mA VTH： 2.5V@250uA P/N： P-Channel
FDN302P P-Kanal-Verbesserungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P-Channel
FDN304P P-Kanal-Verbesserungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN306P P-Kanal-Verbesserungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -12V Id(A)： -2.6A RDSON(Ω)： 30mΩ@-4.5V, -2.6A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Das Produktsortiment von SLKOR umfasst diskrete Bauelemente wie Dioden, Transistoren und Leistungshalbleiter sowie integrierte Schaltkreise wie Linearregler, DC/DC-Wandler, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS. Wir verfügen über jahrelange Erfahrung in der Halbleitertechnik.
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