Hotline usługi
Produkty
Produkty
SL30N50P Tranzystor MOSFET z kanałem N TO-3P
SL30N50P to tranzystor MOSFET wysokiego napięcia z kanałem N, opracowany przez firmę Slkor Semiconductor w zaawansowanej technologii procesu rowkowego. Obudowany standardową obudową TO-3P, układ ten charakteryzuje się rezystancją wysokiego napięcia 500 V, wydajnością prądu ciągłego 20 A oraz ultraniską rezystancją w stanie przewodzenia. Zapewnia niskie straty przewodzenia, dużą szybkość przełączania i doskonałą stabilność termiczną. Dzięki zrównoważonym parametrom elektrycznym i wysokiej niezawodności, SL30N50P jest szeroko stosowany w zasilaczach impulsowych średniej i dużej mocy, urządzeniach inwerterowych oraz przemysłowych obwodach sterowania, stanowiąc idealne i ekonomiczne rozwiązanie w zakresie zasilania.
Ogólny opis
SL30N50P to tranzystor MOSFET wysokiego napięcia z kanałem N, opracowany przez firmę Slkor Semiconductor w zaawansowanej technologii procesu rowkowego. Obudowany standardową obudową TO-3P, układ ten charakteryzuje się rezystancją wysokiego napięcia 500 V, wydajnością prądu ciągłego 20 A oraz ultraniską rezystancją w stanie przewodzenia. Zapewnia niskie straty przewodzenia, dużą szybkość przełączania i doskonałą stabilność termiczną. Dzięki zrównoważonym parametrom elektrycznym i wysokiej niezawodności, SL30N50P jest szeroko stosowany w zasilaczach impulsowych średniej i dużej mocy, urządzeniach inwerterowych oraz przemysłowych obwodach sterowania, stanowiąc idealne i ekonomiczne rozwiązanie w zakresie zasilania.
Udogodnienia
-
Tranzystor MOSFET mocy z kanałem N w trybie wzbogaconym
-
Wytrzymałość na wysokie napięcie: VDSS = 500 V
-
Duża wydajność prądowa: ciągły prąd pobierany do 20A
-
Bardzo niska rezystancja w stanie włączenia: RDS(ON) = 180 mΩ przy VGS=10 V
-
Standardowa obudowa TO-3P o wyjątkowym rozpraszaniu ciepła
-
Niski ładunek bramki i wysoka wydajność przełączania
-
Wysoka odporność na prądy udarowe i stabilna praca
-
Dostępna opcja ekologicznego, zielonego opakowania
Nasze atuty
-
Chińskie procesy produkcyjne przeszły lata iteracji, czego efektem są dojrzałe i niezawodne technologie. Wiele międzynarodowych korporacji decyduje się na outsourcing produkcji w Chinach.
-
Jako profesjonalny chiński producent podzespołów elektronicznych, Slkor SL30N50P może w pełni zastąpić urządzenia popularnych marek międzynarodowych w 99% przypadków zastosowań bez konieczności dodatkowej weryfikacji testowej.
-
Doskonała powtarzalność jakości partii, stabilne parametry elektryczne i niskie tłumienie wydajności.
-
Rozsądna cena, odpowiednie zapasy i elastyczna oferta umożliwiająca realizację zamówień hurtowych.
-
Krótkie terminy realizacji i profesjonalna obsługa posprzedażowa pozwalają klientom ograniczyć koszty badań, rozwoju i zaopatrzenia.
Zastosowania
-
Przemysłowe zasilacze impulsowe i adaptery zasilania
-
Układy sterowania PWM dużej mocy i układy inwerterowe
-
Systemy sterowania napędami silników prądu stałego i wentylatorami przemysłowymi
-
Urządzenia do magazynowania energii i moduły zarządzania ładowaniem akumulatorów
-
Jednostki sterowania mocą automatyki przemysłowej
-
Aplikacje do przełączania obciążeń wysokoprądowych i zarządzania energią
Imię i nazwisko
Tytuł
OPIS
Karta katalogowa
Wsparcie
2SK3018 N-kanałowy MOSFET mocy SOT-23
Marka: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N-Channel
2SK3018W N-kanałowy MOSFET mocy SOT-323
Marka: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
2SK3019 Tranzystory polowe z tlenkiem metalu i krzemem
Marka: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V, 10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
2SK3019 Wzmocnienie kanału N MOSFET SOT-523
Marka: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
BSN20 Wzmocnienie kanału N MOSFET SOT-23
Marka: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
BSS205N Wzmocnienie kanału N MOSFET SOT-23
Marka: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N-Channel
FDN302P Wzmocnienie kanału P MOSFET SOT-23
Marka: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P-Channel
FDN304P Wzmocnienie kanału P MOSFET SOT-23
Marka: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN306P Wzmocnienie kanału P MOSFET SOT-23
Marka: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -12V Id(A)： -2.6A RDSON(Ω)： 30mΩ@-4.5V, -2.6A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN327N N-kanałowy MOSFET mocy SOT-23
Marka: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.0A VTH： 0.7V@250uA P/N： N-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
Potrzebujesz pomocy? Zeskanuj kod telefonem, aby rozpocząć czat na WhatsAppie.
Copyright@2025 Wszelkie prawa zastrzeżone
Slkor
粤公网安备44030002007346号