MOSFET średniego napięcia | Półprzewodniki Slkora

Home Termin oddania Dyskretne urządzenia zasilające MOSFET MOSFET średniego napięcia

MOSFET średniego napięcia Stosowany głównie do obwodów przełączających i wzmacniających w średnim zakresie mocy, kontroli trakcji silnika i innych zastosowaniach.

Produkty DOKUMENTACJA Dane

Karta katalogowa 3D modelu

2N7002 Wzmocnienie kanału N MOSFET SOT-23 Opakowanie: SOT-23 VDSS(V): 60 V Id(A): 115mA RDSON(Ω): 7.5Ω@10V,500mA VTH: 2.5V@250μA P/N: kanał N

Karta katalogowa 3D modelu

2N7002DW Wzmocniony kanał N MOSFET SOT-363 Opakowanie: SOT-363 VDSS(V): 60 V Id(A): 800mA RDSON(Ω): 7.5 mΩ przy 5 V, 50 mA VTH: 1V@250μA P/N: kanał N

Karta katalogowa 3D modelu

2N7002E Wzmocnienie kanału N MOSFET SOT-23 Opakowanie: SOT-23 VDSS(V): 60 V Id(A): 300mA RDSON(Ω): 3Ω@10V,500mA VTH: 2.5V@250μA P/N: kanał N

Karta katalogowa 3D modelu

2N7002K N-kanałowy MOSFET mocy SOT-23 Opakowanie: SOT-23 VDSS(V): 60 V Identyfikator(A): 0.3A RDSON(Ω): 2Ω@10V,0.3A VTH: 1.5V@250uA P/N: kanał N

Karta katalogowa 3D modelu

2N7002KDW N-kanałowy MOSFET mocy SOT-363 Opakowanie: SOT-363 VDSS(V): 60 V Id(A): 340mA RDSON(Ω): 5Ω@10 V VTH: 2.5 V@1 mA P/N: kanał N

Karta katalogowa 3D modelu

2N7002KT N-kanałowy MOSFET mocy TO-523 Opakowanie: TO-252 VDSS(V): 60 V Identyfikator(A): 1A RDSON(Ω): 2.5Ω@10 V VTH: 1.5V@250μA P/N: kanał N

Karta katalogowa 3D modelu

2N7002KW N-kanałowy MOSFET mocy SOT-323 Opakowanie: SOT-323 VDSS(V): 60 V Id(A): 340mA RDSON(Ω): 1.1Ω@4.5V,200mA VTH: 1 V@1 mA P/N: kanał N

Karta katalogowa 3D modelu

2N7002T N-kanałowy MOSFET mocy SOT-523 Opakowanie: SOT-523 VDSS(V): 60 V Id(A): 300mA RDSON(Ω): 3Ω@4.5 V VTH: 3V@250μA P/N: kanał N

Karta katalogowa 3D modelu

AOD409 P-kanałowy MOSFET mocy TO-252 Opakowanie: TO-252 VDSS(V): -60 V Identyfikator(A): -30A RDSON(Ω): 30 mΩ@-10 V, -20 A VTH: -1.8 V@-250uA P/N: kanał P

Karta katalogowa 3D modelu

BSS123 N-kanałowy MOSFET SOT-23 Opakowanie: SOT-23 VDSS(V): 100 V Id(A): 150mA RDSON(Ω): 3.5Ω@10V,120mA VTH: 2.8 V@1 mA P/N: kanał N

Karta katalogowa 3D modelu

BSS131 N-kanałowy MOSFET mocy SOT-23 Opakowanie: SOT-23 VDSS(V): 240 V Identyfikator(A): 0.1A RDSON(Ω): 9.07Ω@4.5V,0.09A VTH: 1.4V@56μA P/N: kanał N

Karta katalogowa 3D modelu

BSS138 N-kanałowy MOSFET mocy SOT-23 Opakowanie: SOT-23 VDSS(V): 50 V Id(A): 220mA RDSON(Ω): 3.5Ω@10V,220mA VTH: 1.6 V@1 mA P/N: kanał N

Karta katalogowa 3D modelu

BSS169 N-kanałowy MOSFET mocy SOT-23 Opakowanie: SOT-23 VDSS(V): 100 V Identyfikator(A): 2A RDSON(Ω): 234 mΩ@10 V, 1.5 A VTH: 2.8V@250uA P/N: kanał N

Karta katalogowa 3D modelu

IRF540NS N-kanałowy MOSFET mocy TO-263 Opakowanie: TO-263 VDSS(V): 100 V Identyfikator(A): 33A RDSON(Ω): 30Ω@10V,15A VTH: 2V@250μA P/N: kanał N

Karta katalogowa 3D modelu

IRF640 N-kanałowy zasilacz TO-220 Opakowanie: TO-220 VDSS(V): 200 V Identyfikator(A): 18A RDSON(Ω): 150 mΩ@10 V, 11 A VTH: 3V@250uA P/N: kanał N

Karta katalogowa 3D modelu

IRF7341 N-kanałowy MOSFET mocy SOP-8 Opakowanie: SOP-8 VDSS(V): 60 V Identyfikator(A): 5A RDSON(Ω): 30 mΩ@10 V, 4 A VTH: 2.5V@250uA P/N: kanał N

Karta katalogowa 3D modelu

IRF9540 P-kanałowy MOSFET mocy TO-220 Opakowanie: TO-220 VDSS(V): -100 V Identyfikator(A): -20A RDSON(Ω): 78 mΩ@-10 V, -10 A VTH: -1.7 V@-250uA P/N: kanał P

Karta katalogowa 3D modelu

IRFR5305 Tranzystor MOSFET mocy z kanałem P TO-252 Opakowanie: TO-252 VDSS(V): -60 V Identyfikator(A): -30A RDSON(Ω): 26 mΩ@-10 V, -15 A VTH: -1.8 V@-250 μA P/N: kanał P

Karta katalogowa 3D modelu

MMBF170L N-kanałowy MOSFET mocy SOT-23 Opakowanie: SOT-23 VDSS(V): 60 V Id(A): 300mA RDSON(Ω): 3Ω@10V,500mA VTH: 2.5V@250uA P/N: kanał N

Karta katalogowa 3D modelu

MOSFET SL25N10 Opakowanie: TO-252 VDSS(V): 100 V Identyfikator(A): 25A RDSON(Ω): 45 mΩ@10 V, 15 A VTH: 3V@250uA P/N: kanał N

2N7002 Wzmocnienie kanału N MOSFET SOT-23	DZIŚ-23	60V	115mA	7.5 Ω przy 10 V, 500 mA	2.5 V przy 250 µA	Kanał N
2N7002DW Wzmocniony kanał N MOSFET SOT-363	DZIŚ-363	60V	800mA	7.5 mΩ przy 5 V, 50 mA	1 V przy 250 µA	Kanał N
2N7002E Wzmocnienie kanału N MOSFET SOT-23	DZIŚ-23	60V	300mA	3 Ω przy 10 V, 500 mA	2.5 V przy 250 µA	Kanał N
2N7002K N-kanałowy MOSFET mocy SOT-23	DZIŚ-23	60V	0.3A	2Ω przy 10 V, 0.3 A	1.5 V przy 250 uA	kanał N
2N7002KDW N-kanałowy MOSFET mocy SOT-363	DZIŚ-363	60V	340mA	5Ω przy 10 V	2.5 V przy 1 mA	kanał N
2N7002KT N-kanałowy MOSFET mocy TO-523	TO-252	60V	1A	2.5Ω przy 10 V	1.5 V przy 250 µA	kanał N
2N7002KW N-kanałowy MOSFET mocy SOT-323	DZIŚ-323	60V	340mA	1.1 Ω przy 4.5 V, 200 mA	1 V przy 1 mA	Kanał N
2N7002T N-kanałowy MOSFET mocy SOT-523	DZIŚ-523	60V	300mA	3Ω przy 4.5 V	3 V przy 250 µA	Kanał N
AOD409 P-kanałowy MOSFET mocy TO-252	TO-252	-60V	-30A	30 mΩ przy -10 V, -20 A	-1.8 V przy -250uA	kanał P
BSS123 N-kanałowy MOSFET SOT-23	DZIŚ-23	100V	150mA	3.5 Ω przy 10 V, 120 mA	2.8 V przy 1 mA	Kanał N
BSS131 N-kanałowy MOSFET mocy SOT-23	DZIŚ-23	240V	0.1A	9.07Ω przy 4.5 V, 0.09 A	1.4 V przy 56 µA	kanał N
BSS138 N-kanałowy MOSFET mocy SOT-23	DZIŚ-23	50V	220mA	3.5 Ω przy 10 V, 220 mA	1.6 V przy 1 mA	Kanał N
BSS169 N-kanałowy MOSFET mocy SOT-23	DZIŚ-23	100V	2A	234 mΩ przy 10 V, 1.5 A	2.8 V przy 250 uA	kanał N
IRF540NS N-kanałowy MOSFET mocy TO-263	TO-263	100V	33A	30Ω przy 10 V, 15 A	2 V przy 250 µA	Kanał N
IRF640 N-kanałowy zasilacz TO-220 IRF640	TO-220	200V	18A	150 mΩ przy 10 V, 11 A	3 V przy 250 uA	kanał N
IRF7341 N-kanałowy MOSFET mocy SOP-8	SPO-8	60V	5A	30 mΩ przy 10 V, 4 A	2.5 V przy 250 uA	kanał N
IRF9540 P-kanałowy MOSFET mocy TO-220	TO-220	-100V	-20A	78 mΩ przy -10 V, -10 A	-1.7 V przy -250uA	kanał P
IRFR5305 Tranzystor MOSFET mocy z kanałem P TO-252 IRFR5305	TO-252	-60V	-30A	26 mΩ przy -10 V, -15 A	-1.8 V przy -250 μA	kanał P
MMBF170L N-kanałowy MOSFET mocy SOT-23	DZIŚ-23	60V	300mA	3 Ω przy 10 V, 500 mA	2.5 V przy 250 uA	Kanał N
MOSFET SL25N10	TO-252	100V	25A	45 mΩ przy 10 V, 15 A	3 V przy 250 uA	Kanał N

Hotline usługi

tel: + 86 755 83044319

Whatsapp: + 8618073002950

ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.

SLKORLinie produktów obejmują układy dyskretne, diody, tranzystory, układy mocy, a także układy scalone, regulatory liniowe, układy DC/DC, układy interfejsowe, czujniki Halla, przetworniki ADC i BMS. Posiadamy wieloletnie doświadczenie w zakresie technologii dedykowanych półprzewodników.

E-mail: slkoric@slkormicro.com

Whatsapp: + 8618073002950

Telefon: +86 755 83044319

Budynek T2, Centrum Przemysłowe Lijincheng, Jihua Road, Dystrykt Longhua, Shenzhen, 518109, Chiny

Kontakt

粤 ICP 备 20017602 号

Numer seryjny 44030002007346