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MOSFET SOT-205 de aprimoramento de canal N BSS23N

● Tecnologia Trench Power LV MOSFET

● Alta potência e capacidade de entrega de corrente

Descrição
O BSS205N N-Channel Enhancement MOSFET SOT-23 é um componente semicondutor versátil e de alto desempenho projetado para aplicações de comutação confiáveis ​​e eficientes. Com uma tensão máxima de dreno-fonte robusta de 20 V e uma classificação de corrente de dreno contínua de 2.5 A, este MOSFET oferece excelente manuseio de energia e baixa resistência para uma ampla gama de circuitos eletrônicos.

Diferenciais

Tecnologia MOSFET de baixa tensão Trench Power

Alta capacidade de gerenciamento de potência e corrente


Aplicação

Aplicação PWM

● Interruptor de carga



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