Service Hotline
● Trench Power LV MOSFET-technologie
● Hoog vermogen en stroomoverdrachtsmogelijkheden
Beschrijving
De BSS205N N-Channel Enhancement MOSFET SOT-23 is een veelzijdige en krachtige halfgeleidercomponent ontworpen voor betrouwbare en efficiënte schakeltoepassingen. Met een robuuste maximale drain-source-spanning van 20 V en een continue drain-stroom van 2.5 A, biedt deze MOSFET uitstekende belastbaarheid en lage weerstand voor een breed scala aan elektronische circuits.
Kenmerken
● Trench Power LV MOSFET-technologie
● Hoog vermogen en hoge stroombelastbaarheid
Toepassing
● PWM-toepassing
● Laad schakelaar
Support
Als u ontwerp- of technische ondersteuning nodig heeft, laat het ons dan weten en vul het reactieformulier in. We nemen zo snel mogelijk contact met u op.
Duurzaamheid
Het Levensduurprogramma is bedoeld om onze klanten periodiek te informeren over de verwachte levertijd van onze producten. Het programma wordt regelmatig herzien en bijgewerkt door ons managementteam. Bekijk ons levensduurprogramma hier.















