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IRLML6401 MOSFET de potência do canal P SOT-23

● Design de células de alta densidade para RDS(ON) extremamente baixo

● Resistência excepcional e máxima

● Capacidade de corrente CC

Transistor de efeito de campo no modo de aprimoramento do canal P

V(BR)DSSRDS (ligado)MAXID
-30V60mΩ@-10V-4.2A
70mΩ@-4.5V
85mΩ@-2.5V


RECURSO

Design de célula de alta densidade para R DS(ON) extremamente baixo

Resistência excepcional e máxima

● Capacidade de corrente CC

APLICAÇÃO

Interruptor de carga para dispositivos portáteis

● Conversor DC / DC


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