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IRLML6401 MOSFET di potenza a canale P SOT-23

● Design a celle ad alta densità per un RDS(ON) estremamente basso

● Resistenza eccezionale e massima

● Capacità di corrente continua

Transistor a effetto di campo con modalità di miglioramento del canale P

V(BR)DSSRDS (on)MAXID
-30V60 mΩ@-10 V-4.2A
70 mΩ@-4.5 V
85 mΩ@-2.5 V


FEATURE

Design a celle ad alta densità per un R DS(ON) estremamente basso

Resistenza eccezionale e massima

● Capacità di corrente continua

APPLICAZIONI

Interruttore di carico per dispositivi portatili

● Convertitore DC / DC


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