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FDV301N MOSFET di potenza a canale N SOT-23

● Requisiti di pilotaggio del gate molto bassi che consentono il funzionamento diretto in circuiti a 3V. Vas(h) < 1.5V.

● Zener gate-source per robustezza ESD >6ky Modello del corpo umano

● Sostituire più transistor digitali NPN con un singolo DMOSFET.

Caratteristiche

l 0.22 A, 25 V. R DS(ON) =4 Ω @ V GS = 4.5 V

R DS(ON) = 5Ω @ V GS = 2.7 V.

Requisiti di pilotaggio del gate molto bassi che consentono il funzionamento diretto in circuiti a 3V. Vas(h) < 1.5V.

l Diodo Zener Gate-Source per robustezza ESD >6ky Modello del corpo umano

l Sostituire più transistor digitali NPN con un singolo DMOSFET.


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