Service-Hotline
● Sehr geringe Ansteuerspannungen ermöglichen den direkten Betrieb in 3-V-Schaltungen. Vas(h) < 1.5 V.
● Gate-Source-Zenerdiode für ESD-Robustheit >6ky Human Body Model
● Mehrere NPN-Digitaltransistoren durch einen DMOSFET ersetzen.
Eigenschaften
l 0.22 A, 25 V. R DS(ON) =4 Ω @ V GS = 4.5 V
R DS(ON) = 5Ω @ V GS = 2.7 V.
l Sehr geringe Ansteuerspannungen ermöglichen den direkten Betrieb in 3-V-Schaltungen. Vas(h) < 1.5 V.
l Gate-Source-Zenerdiode für ESD-Festigkeit >6k Human Body Model
l Mehrere NPN-Digitaltransistoren durch einen DMOSFET ersetzen.
Unterstützung
Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.
Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.















