제품
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FDV301N N채널 전력 MOSFET SOT-23

● 매우 낮은 수준의 게이트 구동 요구 사항으로 3V 회로에서 직접 작동 가능합니다. Vas(h) < 1.5V.

● ESD 내구성을 위한 게이트-소스 제너 다이오드 (6천회 이상, 인체 모델 적용)

● 여러 개의 NPN 디지털 트랜지스터를 하나의 DMOSFET으로 대체합니다.

기능

l 0.22A, 25V. R DS(ON) =4Ω @ V GS = 4.5V

R DS(ON) = 5Ω @ V GS = 2.7V.

l 매우 낮은 수준의 게이트 구동 요구 사항으로 3V 회로에서 직접 작동 가능 . Vas(h) < 1.5V.

ESD 내구성을 위한 게이트-소스 제너 다이오드 ( 6천년 이상) 인체 모델

l 여러 개의 NPN 디지털 트랜지스터를 하나의 DMOSFET으로 대체합니다.


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