產品
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FDV301N N通道功率MOSFET SOT-23

● 極低的閘極驅動電平要求,可直接在 3V 電路中工作。 Vas(h) < 1.5V。

● 柵極源齊納二極體,具有極高的靜電放電防護能力,適用於 6 毫安人體模型

● 用一個 DMOSFET 取代多個 NPN 數位電晶體。

產品特性

0.22A ,25V。 RDS ( ON ) =4Ω@VGS=4.5V

R DS(ON) = 5Ω @ V GS = 2.7 V。

l極低的閘極驅動電平要求,可直接在 3V 電路中工作。 Vas (h) < 1.5V。

l用於 ESD 防護等級>6ky 人體模型的柵極齊納二極體

l用一個DMOSFET取代多個NPN數位電晶體。


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