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FDV301N NチャンネルパワーMOSFET SOT-23

● ゲート駆動要件が非常に低く、3V回路で直接動作可能です。Vas(h) < 1.5V。

● ESD耐性のためのゲート・ソースツェナーダイオード >6ky 人体モデル

● 複数のNPNデジタルトランジスタを1つのDMOSFETに置き換える。

特長

l 0.22 A、25 V。 R DS(ON) =4 Ω @ V GS = 4.5 V

R DS(ON) = 5Ω @ V GS = 2.7 V。

lゲート駆動要件が非常に低く、3V回路で直接動作可能です。Vas (h) < 1.5V。

ESD耐性のためのゲート・ソースツェナーダイオード> 6ky 人体モデル

複数のNPNデジタルトランジスタを1つのDMOSFETに置き換える


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