タイプ : P チャネル
VDSS: 50V
ID: 130mA
Pd:200mW
RDS(on)@Vgs,Id: 10Ω@5V,100mA
Vgs(th)@Id: 2.5V@250uA
Ciss@Vds : 73pF@25V
使用温度: +150℃@(Tj)
PチャネルエンハンスメントモードMOS FET
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耐用性アップ
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