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Transistor a effetto di campo in modalità di miglioramento del canale P BSS84 SOT-23

Tipo: canale P

Vdss: 50V

Id: 130mA

Potenza nominale: 200 mW

RDS(on)@Vgs,Id: 10Ω@5V,100mA

Vgs(th)@Id: 2.5V@250uA

Ciss@Vds : 73pF@25V

Temperatura di funzionamento: +150℃@(Tj)

MOS FET in modalità potenziamento canale P

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