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MOSFET SOT-4606 con potenziamento del canale N+P SL8A

● Elevata potenza e capacità di gestione della corrente

● Viene acquistato un prodotto senza piombo

● Pacchetto per montaggio superficiale

Descrizione
Questo MOSFET a canale N ha una tensione massima Drain-Source (Vdss) di 30 V, il che lo rende ideale per un'ampia gamma di applicazioni elettroniche. Con una corrente di Drain continua massima (Id) di 6 A e una dissipazione di potenza (Pd) di 2 W, assicura un'efficiente gestione della potenza e stabilità termica. Il basso RDS(on) di 19 mΩ a Vgs di 10 V e Id di 5.6 A garantisce perdite di conduzione minime, mentre la tensione di soglia Gate-Source (Vgs(th)) è di soli 1 V a 250 μA, facilitando un facile pilotaggio e controllo.

Caratteristiche

Elevata capacità di gestione di potenza e corrente

Il prodotto senza piombo è stato acquisito

Confezione per montaggio superficiale


Applicazione

Protezione della batteria

Interruttore di carico

● Risparmio energetico


Nome
Titolo
Descrizione
Scheda tecnica
Supporto

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