Productos
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MOSFET SOT-4606 de mejora de canal N+P SL8A

● Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.

● Se adquiere producto sin plomo.

● Paquete de montaje en superficie

Mareas Ideales para Lecciones
Este MOSFET de canal N tiene un voltaje máximo de fuente de drenaje (Vdss) de 30 V, lo que lo hace ideal para una amplia gama de aplicaciones electrónicas. Con una corriente de drenaje continuo máxima (Id) de 6 A y una disipación de potencia (Pd) de 2 W, garantiza un manejo eficiente de la energía y estabilidad térmica. El bajo RDS(on) de 19 mΩ con Vgs de 10 V y un Id de 5.6 A garantiza pérdidas de conducción mínimas, mientras que el voltaje umbral puerta-fuente (Vgs(th)) es de solo 1 V a 250 μA, lo que facilita la conducción y el control.

Caracteristicas

● Alta capacidad de manejo de potencia y corriente

● Se adquiere un producto sin plomo

● Paquete de montaje en superficie


Aplicación

● Protección de la batería

● Interruptor de carga

● Gestión de energía


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El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.

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