Productos
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MOSFET SOT-4606 de mejora de canal N+P SL8A

● Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.

● Se adquiere producto sin plomo.

● Paquete de montaje en superficie

Mareas Ideales para Lecciones
Este MOSFET de canal N tiene un voltaje máximo de fuente de drenaje (Vdss) de 30 V, lo que lo hace ideal para una amplia gama de aplicaciones electrónicas. Con una corriente de drenaje continuo máxima (Id) de 6 A y una disipación de potencia (Pd) de 2 W, garantiza un manejo eficiente de la energía y estabilidad térmica. El bajo RDS(on) de 19 mΩ con Vgs de 10 V y un Id de 5.6 A garantiza pérdidas de conducción mínimas, mientras que el voltaje umbral puerta-fuente (Vgs(th)) es de solo 1 V a 250 μA, lo que facilita la conducción y el control.

Caracteristicas

Alta capacidad de manejo de potencia y corriente

Se adquiere un producto sin plomo

Paquete de montaje en superficie


Aplicación

Protección de la batería

Interruptor de carga

● Gestión de energía


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Título
Descripción
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Soporte

Soporte

 

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Longevidad

 

El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.

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