Línea directa de servicio
● Dispositivo ecológico disponible.
● Tecnología avanzada de zanja de alta densidad celular para ultra RDS(ON).
● Excelente embalaje para una buena disipación del calor.
Nuestras ventajas
Los procesos de fabricación chinos han pasado por años de iteración, lo que ha dado como resultado tecnologías maduras y confiables. Muchas corporaciones internacionales optan por subcontratar la producción en China. Como fabricante de componentes electrónicos en China, nuestros productos pueden reemplazar completamente a los de las principales marcas internacionales en el 99% de las aplicaciones sin necesidad de realizar pruebas de verificación. Nuestros productos cuentan con una alta consistencia en calidad, precios razonables, amplio inventario, suministro flexible, plazos de entrega cortos y servicio postventa profesional.
Descripción general
Este MOSFET de canal P utiliza tecnología y diseño de trinchera avanzados para proporcionar una excelente resistencia R DS(on) con baja carga de puerta. Puede utilizarse en una amplia variedad de aplicaciones.
Caracteristicas
● V DS =-30V,I D =- A,R DS(ON) <9.5mΩ@ V GS =-10V
● Tarifa de entrada baja.
● Dispositivo verde disponible.
● Tecnología avanzada de trinchera de alta densidad celular para ultra R DS(ON).
● Excelente embalaje para una buena disipación del calor.
Aplicaciones
● Aplicaciones PWM
● interruptor de carga
● Gestión de energía
Soporte
Si necesita asistencia técnica o de diseño, háganoslo saber y complete el formulario de respuesta. Nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
Longevidad
El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.















