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FDV301N MOSFET de alimentación de canal N SOT-23

● Requisitos de control de puerta de nivel muy bajo que permiten el funcionamiento directo en circuitos de 3 V. Vas(h) < 1.5 V.

● Diodo Zener de puerta-fuente para resistencia ESD >6k Modelo de cuerpo humano

● Reemplace varios transistores digitales NPN con un DMOSFET.

Caracteristicas

l 0.22 A, 25 V. R DS(ON) =4 Ω @ V GS = 4.5 V

R DS(ON) = 5Ω @ V GS = 2.7 V.

l Requisitos de control de puerta de nivel muy bajo que permiten el funcionamiento directo en circuitos de 3 V. Vas(h) < 1.5 V.

Diodo Zener de puerta-fuente para resistencia ESD >6k Modelo de cuerpo humano

l Reemplazar varios transistores digitales NPN por un DMOSFET.


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Soporte

 

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Longevidad

 

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