उत्पाद
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FDV301N एन-चैनल पावर MOSFET SOT-23

● बेहद कम स्तर की गेट ड्राइव आवश्यकताएँ जो 3V सर्किट में सीधे संचालन की अनुमति देती हैं। Vas(h) < 1.5V.

● 6ky से अधिक ESD प्रतिरोध क्षमता वाले मानव शरीर मॉडल के लिए गेट-सोर्स ज़ेनर।

● कई एनपीएन डिजिटल ट्रांजिस्टर को एक डीएमओएसएफटी से बदलें।

विशेषताएं

एल 0.22 ए, 25 वी. आर डीएस(ओएन) =4 Ω @ वी जीएस = 4.5 वी

R DS(ON) = 5Ω @ V GS = 2.7 V.

बहुत कम स्तर की गेट ड्राइव आवश्यकताएँ जो 3V सर्किट में सीधे संचालन की अनुमति देती हैं। Vas(h) < 1.5V.

ईएसडी प्रतिरोध क्षमता के लिए गेट -सोर्स ज़ेनर ( >6ky) मानव शरीर मॉडल

एकाधिक एनपीएन डिजिटल ट्रांजिस्टर को एक डीएमओएसएफईटी से बदलें


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