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FDV301N MOSFET de potência de canal N SOT-23

● Requisitos de acionamento de porta de nível muito baixo, permitindo operação direta em circuitos de 3V. Vas(h) < 1.5V.

● Zener Gate-Source para robustez ESD >6ky Modelo de Corpo Humano

● Substitua vários transistores digitais NPN por um único DMOSFET.

Diferenciais

l 0.22 A, 25 V. R DS(ON) =4 Ω @ V GS = 4.5 V

R DS(ON) = 5Ω @ V GS = 2.7 V.

l Requisitos de acionamento de porta de nível muito baixo, permitindo operação direta em circuitos de 3V. Vas(h) < 1.5V.

Zener porta -fonte para robustez ESD >6ky Modelo de corpo humano

Substitua vários transistores digitais NPN por um único DMOSFET.


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