hotline
● Zeer lage gate-aansturingseisen waardoor directe werking in 3V-circuits mogelijk is. Vas(h) < 1.5V.
● Gate-Source Zenerdiode voor ESD-bestendigheid >6kY Menselijk Lichaamsmodel
● Vervang meerdere NPN-digitale transistoren door één DMOSFET.
Kenmerken
l 0.22 A, 25 V. R DS(AAN) =4 Ω @ V GS = 4.5 V
R DS(ON) = 5Ω @ V GS = 2.7 V.
Zeer lage gate-aansturingseisen waardoor directe werking in 3V-circuits mogelijk is. Vas(h) < 1.5V.
l Gate-Source Zener voor ESD-robuustheid >6kY Menselijk lichaamsmodel
Vervang meerdere NPN digitale transistoren door één DMOSFET.
Support
Als u ontwerp- of technische ondersteuning nodig heeft, laat het ons dan weten en vul het reactieformulier in. We nemen zo snel mogelijk contact met u op.
Duurzaamheid
Het Levensduurprogramma is bedoeld om onze klanten periodiek te informeren over de verwachte levertijd van onze producten. Het programma wordt regelmatig herzien en bijgewerkt door ons managementteam. Bekijk ons levensduurprogramma hier.















