Producten
Producten
FDV301N N-kanaal vermogens-MOSFET SOT-23

● Zeer lage gate-aansturingseisen waardoor directe werking in 3V-circuits mogelijk is. Vas(h) < 1.5V.

● Gate-Source Zenerdiode voor ESD-bestendigheid >6kY Menselijk Lichaamsmodel

● Vervang meerdere NPN-digitale transistoren door één DMOSFET.

Kenmerken

l 0.22 A, 25 V. R DS(AAN) =4 Ω @ V GS = 4.5 V

R DS(ON) = 5Ω @ V GS = 2.7 V.

Zeer lage gate-aansturingseisen waardoor directe werking in 3V-circuits mogelijk is. Vas(h) < 1.5V.

l Gate-Source Zener voor ESD-robuustheid >6kY Menselijk lichaamsmodel

Vervang meerdere NPN digitale transistoren door één DMOSFET.


Naam
Onderwerp
Beschrijving
Data papier
Support

Support

 

Als u ontwerp- of technische ondersteuning nodig heeft, laat het ons dan weten en vul het reactieformulier in. We nemen zo snel mogelijk contact met u op.

Duurzaamheid

 

Het Levensduurprogramma is bedoeld om onze klanten periodiek te informeren over de verwachte levertijd van onze producten. Het programma wordt regelmatig herzien en bijgewerkt door ons managementteam. Bekijk ons ​​levensduurprogramma hier.

whatsapp

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950