Produits
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MOSFET à canal N+P amélioré SL4606A SOT-8

● Capacité élevée de gestion de puissance et de courant

● Un produit sans plomb est acquis

● Pack de montage en surface

Description
Cette tension drain-source maximale (Vdss) MOSFET à canal N est de 30 V, ce qui le rend idéal pour une large gamme d'applications électroniques. Avec un courant de vidange continu (Id) maximum de 6 A et une dissipation de puissance (Pd) de 2 W, il garantit une gestion efficace de la puissance et une stabilité thermique. Le faible RDS(on) de 19 mΩ à Vgs de 10 V et Id de 5.6 A garantit des pertes de conduction minimales, tandis que la tension de seuil grille-source (Vgs(th)) n'est que de 1 V à 250 μA, facilitant ainsi la conduite et le contrôle.

Fonctionnalité

Capacité de gestion de puissance et de courant élevée

Un produit sans plomb est acquis

Boîtier pour montage en surface


Application

Protection de la batterie

Interrupteur de charge

● Gestion de l'alimentation


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Description
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Longévité

 

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