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기술설명
이 N채널 MOSFET 최대 드레인 소스 전압(Vdss)은 30V이므로 광범위한 전자 애플리케이션에 이상적입니다. 최대 6A의 연속 드레인 전류(Id)와 2W의 전력 손실(Pd)을 통해 효율적인 전력 처리 및 열 안정성을 보장합니다. Vgs 19V 및 Id 10A에서 5.6mΩ의 낮은 RDS(on)는 전도 손실을 최소화하며, 게이트 소스 임계 전압(Vgs(th))은 1μA에서 250V에 불과하여 구동 및 제어가 용이합니다.
기능
● 높은 출력 및 전류 처리 능력
● 무연 제품을 구입했습니다.
● 표면 실장 패키지
어플리케이션
● 배터리 보호
● 부하 스위치
● 전원 관리
고객 지원
디자인/기술 지원이 필요하시면 저희에게 알려주시고 응답 양식을 작성해 주세요. 최대한 빨리 연락드리겠습니다.
장기적
장수명 프로그램은 고객 여러분께 당사 제품의 예상 주문 가능 시기에 대한 정보를 수시로 제공하기 위해 마련되었습니다. 이 프로그램은 경영진이 정기적으로 검토 및 업데이트합니다. 장수명 프로그램에 대한 자세한 내용은 여기에서 확인하세요.















