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SL4606A N+P-Kanal-Verbesserungs-MOSFET SOT-8

● Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit

● Es wird ein bleifreies Produkt erworben

● Oberflächenmontagepaket

Beschreibung
Die maximale Drain-Source-Spannung (Vdss) dieses N-Kanal-MOSFET beträgt 30 V, was ihn ideal für eine Vielzahl elektronischer Anwendungen macht. Mit einem maximalen kontinuierlichen Drainstrom (Id) von 6 A und einer Verlustleistung (Pd) von 2 W sorgt er für effiziente Leistungshandhabung und thermische Stabilität. Der niedrige RDS(on) von 19 mΩ bei Vgs von 10 V und Id von 5.6 A sorgt für minimale Leitungsverluste, während die Gate-Source-Schwellenspannung (Vgs(th)) bei 1 μA nur 250 V beträgt, was eine einfache Ansteuerung und Steuerung ermöglicht.

Eigenschaften

● Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit

● Bleifreies Produkt wird beschafft

● Oberflächenmontage-Gehäuse


Anwendung

● Batterieschutz

● Lastschalter

● Power-Management


Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Unterstützung

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