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Transistor à effet de champ en mode d'amélioration du canal P BSS84 SOT-23

Type : Canal P

Vdss : 50 V

Identifiant : 130 mA

PD : 200 mW

RDS(on)@Vgs,Id : 10 Ω@5 V,100 mA

Vgs(th)@Id : 2.5 V@250 µA

Ciss@Vds : 73 pF@25 V

Température de fonctionnement : +150℃@(Tj)

FET MOS en mode d'amélioration du canal P

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