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IRLML6401 P チャネル パワー MOSFET SOT-23

● 極めて低いオン抵抗(RDS(ON))を実現する高密度セル設計

● 優れたオン抵抗と最大

●直流電流容量

Pチャネルエンハンスメントモード電界効果トランジスタ

V(BR)DSSRDS(オン)MAXID
-30V60mΩ@-10V-4.2A
70mΩ@-4.5V
85mΩ@-2.5V


FEATURE

●極めて低いオン抵抗( RDS(ON))を実現する高密度セル設計

優れたオン抵抗と最大

● 直流電流能力

お申込み

携帯機器用負荷スイッチ

● DC / DCコンバーター


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