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SL420NPD N-Kanal- und P-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-252-4

● Fortschrittliche Trench-Technologie für hohe Zelldichte

● Niedriger RDS(ON)-Wert zur Minimierung der Leitungsverluste

● Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten

Allgemeine Beschreibung
Der SL420NPD kombiniert fortschrittliche Trench-MOSFET-Technologie mit einem Gehäuse mit niedrigem Widerstand, um einen extrem niedrigen R zu bietenDS (EIN) . Dieses Gerät ist ideal für Lastschalter- und Batterieschutzanwendungen.
Eigenschaften

■ Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte

■ Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von Leitungsverlusten

■ Geringe Gate-Ladung für schnelles Schalten

■ Niedriger thermischer Widerstand

Anwendung

■ MB/VGA Vcore

■ SMPS 2. Synchrongleichrichter

■ POL-Anwendung

■ BLDC-Motortreiber 


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