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SL420NPD Canal N e Canal P MOSFET de potência TO-252-4

● Tecnologia Trench avançada de alta densidade celular

● Baixa RDS(ON) para minimizar a perda condutiva

● Baixa carga de porta para comutação rápida

Descrição geral
O SL420NPD combina tecnologia MOSFET de trincheira avançada com um pacote de baixa resistência para fornecer R extremamente baixoDS (ON) . Este dispositivo é ideal para aplicações de comutação de carga e proteção de bateria.
Diferenciais

■ Tecnologia avançada de trincheira de alta densidade celular

■ Baixo RDS(ON) para minimizar a perda condutiva

■ Carga de porta baixa para comutação rápida

■ Baixa resistência térmica

Aplicação

■ MB/VGA Vcore

■ 2º Retificador Síncrono SMPS

■ Aplicação POL

■ Motorista BLDC 


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