МОП-транзистор низкого напряжения

Главная Категории продукта Дискретные силовые устройства МОП-транзистор МОП-транзистор низкого напряжения

Продукты Документы Данные

2SK3018 N-канальный силовой МОП-транзистор SOT-23 Пакет: СОТ-23 VDSS(В): 30В Id(A): 100 мА RDSON (Ω): 7.5 мОм при 10 В, 400 мА VTH: 2 В при 100 мкА Номер детали: N-канал

Даташит 3D Модель

2SK3018W N-канальный силовой МОП-транзистор SOT-323 Пакет: СОТ-323 VDSS(В): 30В Id(A): 300 мА RDSON (Ω): 8Ω при 10 В, 3 А VTH: 1.5 В при 250 мкА Номер детали: N-канал

Даташит 3D Модель

2SK3019 Металл-оксид-кремниевые полевые транзисторы Пакет: СОТ-523 VDSS(В): 30В Id(A):0.1A RDSON (Ω): 8Ω при 4 В, 10 мА VTH: 0.8 В при 100 мкА Номер детали: N-канал

Даташит 3D Модель

2SK3019 Улучшенный N-канальный МОП-транзистор SOT-523 Пакет: СОТ-523 VDSS(В): 30В Id(A):0.1A RDSON (Ω): 8Ω при 4 В, 10 А VTH: 0.8 В при 100 мкА Номер детали: N-канал

Даташит 3D Модель

BSN20 N-канальный МОП-транзистор SOT-23 Пакет: СОТ-23 VDSS(В): 50В Id(A):3A RDSON (Ω): 3Ω при 4.5 В VTH: 1.5 В при 250 мкА Номер детали: N-канал

Даташит 3D Модель

BSS205N N-канальный МОП-транзистор SOT-23 Пакет: СОТ-23 VDSS(В): 20В Id(A):2.5A RDSON (Ω): 40 мОм при 4.5 В, 2.5 А VTH: 0.7 В при 11 мкА Номер детали: N-канал

Даташит 3D Модель

BSS84 Полевой транзистор с режимом расширения P-канала SOT-23 Пакет: СОТ-23 VDSS(В): 50В Id(A): 130 мА RDSON (Ω): 10Ω при 5 В, 100 мА VTH: 2.5 В при 250 мкА Номер детали: P-канал

Даташит 3D Модель

FDN302P MOSFET SOT-23 расширения P-канала Пакет: СОТ-23 VDSS(В): -20В Id(A):-2.4A RDSON (Ω): 44 мОм при -4.5 В, -2.4 А VTH: -1 В при -250 мкА Номер детали: P-канал

Даташит 3D Модель

FDN304P MOSFET SOT-23 расширения P-канала Пакет: СОТ-23 VDSS(В): -20В Id(A):-2.4A RDSON (Ω): 36 мОм при -4.5 В, -2.4 А VTH: -0.7 В при -250 мкА Номер детали: P-канал

Даташит 3D Модель

FDN306P MOSFET SOT-23 расширения P-канала Пакет: СОТ-23 VDSS(В): -12В Id(A):-2.6A RDSON (Ω): 30 мОм при -4.5 В, -2.6 А VTH: -0.7 В при -250 мкА Номер детали: P-канал

Даташит 3D Модель

FDN327N N-канальный силовой МОП-транзистор SOT-23 Пакет: СОТ-23 VDSS(В): 20В Id(A):2A RDSON (Ω): 40 мОм при 4.5 В, 2.0 А VTH: 0.7 В при 250 мкА Номер детали: N-канал

Даташит 3D Модель

FDN336P P-канальный силовой МОП-транзистор SOT-23 Пакет: СОТ-23 VDSS(В): -20В Id(A):-1.3A RDSON (Ω): 105 мОм при -4.5 В, -1.3 А VTH: -0.7 В при -250 мкА Номер детали: P-канал

Даташит 3D Модель

FDN337N Металл-оксид-кремниевые полевые транзисторы Пакет: СОТ-23 VDSS(В): 30В Id(A):2.2A RDSON (Ω): 40 мОм при 4.5 В, 2.2 А VTH: 0.9 В при 250 мкА Номер детали: N-канал

Даташит 3D Модель

FDN337N Улучшенный N-канальный МОП-транзистор SOT-23 Пакет: СОТ-23 VDSS(В): 30В Id(A):2.2A RDSON (Ω): 40 мОм при 4.5 В, 2.2 А VTH: 0.9 В при 250 мкА Номер детали: N-канал

Даташит 3D Модель

FDN338P MOSFET SOT-23 расширения P-канала Пакет: СОТ-23 VDSS(В): -20В Id(A):-1.6A RDSON (Ω): 75 мОм при -4.5 В, -1.6 А VTH: -0.7 В при -250 мкА Номер детали: P-канал

Даташит 3D Модель

FDN340P MOSFET SOT-23 расширения P-канала Пакет: СОТ-23 VDSS(В): -20В Id(A):-2A RDSON (Ω): 60 мОм при -4.5 В, -2 А VTH: -0.8 В при -250 мкА Номер детали: P-канал

Даташит 3D Модель

FDV301N N-канальный силовой МОП-транзистор SOT-23 Пакет: СОТ-23 VDSS(В): 25В Id(A):0.22A RDSON (Ω): 4Ω при 4.5 В, 0.4 А VTH: 0.8 В при 250 мкА Номер детали: N-канал

Даташит 3D Модель

FDV305N Улучшенный N-канальный МОП-транзистор SOT-23 Пакет: СОТ-23 VDSS(В): 20В Id(A):0.9A RDSON (Ω): 170 мОм при 4.5 В, 0.9 А VTH: 1 В при 250 мкА Номер детали: N-канал

Даташит 3D Модель

FDV305N Улучшенный N-канальный МОП-транзистор SOT-23 Пакет: СОТ-23 VDSS(В): 20В Id(A):0.9A RDSON (Ω): 170 мОм при 4.5 В, 0.9 А VTH: 0.6 В при 250 мкА Номер детали: N-канал

Даташит 3D Модель

IRF9317TR Расширение P-канала МОП-транзистор SOP-8 Пакет: СОП-8 VDSS(В): -30В Id(A):-15A RDSON (Ω): 8 мОм при -10 В, -10 А VTH: -1.6 В при 250 мкА Номер детали: P-канал

2SK3018 N-канальный силовой МОП-транзистор SOT-23	СОТ-23	30V	100mA	7.5 мОм при 10 В, 400 мА	2 В при 100 мкА	N-Channel
2SK3018W N-канальный силовой МОП-транзистор SOT-323	СОТ-323	30V	300mA	8 Ом при 10 В, 3 А	1.5 В при 250 мкА	N-Channel
2SK3019 Металл-оксид-кремниевые полевые транзисторы	СОТ-523	30V	0.1A	8 Ом при 4 В, 10 мА	0.8 В при 100 мкА	N-Channel
2SK3019 Улучшенный N-канальный МОП-транзистор SOT-523	СОТ-523	30V	0.1A	8 Ом при 4 В, 10 А	0.8 В при 100 мкА	N-Channel
BSN20 N-канальный МОП-транзистор SOT-23	СОТ-23	50V	3A	3 Ом при 4.5 В	1.5 В при 250 мкА	N-Channel
BSS205N N-канальный МОП-транзистор SOT-23	СОТ-23	20V	2.5A	40 мОм при 4.5 В, 2.5 А	0.7 В при 11 мкА	N-Channel
BSS84 Полевой транзистор с режимом расширения P-канала SOT-23	СОТ-23	50V	130mA	10 Ом при 5 В, 100 мА	2.5 В при 250 мкА	P-канал
FDN302P MOSFET SOT-23 расширения P-канала	СОТ-23	-20V	-2.4A	44 мОм при -4.5 В, -2.4 А	-1 В при -250 мкА	P-канал
FDN304P MOSFET SOT-23 расширения P-канала	СОТ-23	-20V	-2.4A	36 мОм при -4.5 В, -2.4 А	-0.7 В при -250 мкА	P-канал
FDN306P MOSFET SOT-23 расширения P-канала	СОТ-23	-12V	-2.6A	30 мОм при -4.5 В, -2.6 А	-0.7 В при -250 мкА	P-канал
FDN327N N-канальный силовой МОП-транзистор SOT-23	СОТ-23	20V	2A	40 мОм при 4.5 В, 2.0 А	0.7 В при 250 мкА	N-Channel
FDN336P P-канальный силовой МОП-транзистор SOT-23	СОТ-23	-20V	-1.3A	105 мОм при -4.5 В, -1.3 А	-0.7 В при -250 мкА	P-канал
FDN337N Металл-оксид-кремниевые полевые транзисторы	СОТ-23	30V	2.2A	40 мОм при 4.5 В, 2.2 А	0.9 В при 250 мкА	N-Channel
FDN337N Улучшенный N-канальный МОП-транзистор SOT-23	СОТ-23	30V	2.2A	40 мОм при 4.5 В, 2.2 А	0.9 В при 250 мкА	N-Channel
FDN338P MOSFET SOT-23 расширения P-канала	СОТ-23	-20V	-1.6A	75 мОм при -4.5 В, -1.6 А	-0.7 В при -250 мкА	P-канал
FDN340P MOSFET SOT-23 расширения P-канала	СОТ-23	-20V	-2A	60 мОм при -4.5 В, -2 А	-0.8 В при -250 мкА	P-канал
FDV301N N-канальный силовой МОП-транзистор SOT-23	СОТ-23	25V	0.22A	4 Ом при 4.5 В, 0.4 А	0.8 В при 250 мкА	N-Channel
FDV305N Улучшенный N-канальный МОП-транзистор SOT-23	СОТ-23	20V	0.9A	170 мОм при 4.5 В, 0.9 А	1 В при 250 мкА	N-Channel
FDV305N Улучшенный N-канальный МОП-транзистор SOT-23	СОТ-23	20V	0.9A	170 мОм при 4.5 В, 0.9 А	0.6 В при 250 мкА	N-Channel
IRF9317TR Расширение P-канала МОП-транзистор SOP-8	СОП 8	-30V	-15A	8 мОм при -10 В, -10 А	-1.6 В при 250 мкА	P-канал

Горячая линия

тел: + 86 755 83044319

Whatsapp: + 8618073002950

ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.

SLKORЛинейка продукции компании включает дискретные устройства и т. д., диоды, транзисторы, силовые устройства; а также интегральные микросхемы и т. д., линейные регуляторы, микросхемы DC/DC, интерфейсные микросхемы, датчики Холла, АЦП и BMS... У нас есть накопленные за годы технологии в области специализированных полупроводников.

Электронная почта: slkoric@slkormicro.com

Whatsapp: + 8618073002950

Телефон: +86 755 83044319

Здание T2, промышленный центр Лицзинчэн, улица Цзихуа, район Лунхуа, Шэньчжэнь, 518109, Китай

Контакты

粤 ICP 备 20017602 号