БТИЗ дискретные | Слкор Полупроводники

Главная Категории продукта Дискретные силовые устройства IGBT БТИЗ дискретный

БТИЗ дискретный Дискретные устройства IGBT широко используются в инверторах общего назначения, солнечных инверторах, источниках бесперебойного питания (ИБП), оборудовании для индукционного нагрева, крупной бытовой технике, сварочном оборудовании, импульсных источниках питания (SMPS) и т. д. Характеристика IGBT - высокая Плотность тока и низкое энергопотребление повышают энергоэффективность и уменьшают необходимость рассеивания тепла, что, в свою очередь, эффективно снижает общую стоимость системы.

Продукты Документы Данные

Даташит 3D Модель

SL15T120FL1 IGBT TO-247 VCE(В): 1200 В IC@TC=100℃（A：30A ПД при ТК=25℃ (Вт: 238 Вт) TJ (℃): -40~175℃ Пакет: TO-247

Даташит 3D Модель

SL15T65FF IGBT TO-220F VCE(В): 650 В IC@TC=100℃（A：30A ПД при ТК=25℃ (Вт: 48 Вт) TJ (℃): -40~175℃ Пакет: TO-220F

Даташит 3D Модель

SL15T65FK БТИЗ ТО-263 VCE(В): 650 В IC@TC=100℃（A：30A ПД при ТК=25℃ (Вт: 182 Вт) TJ (℃): -40~175℃ Пакет: TO-263

Даташит 3D Модель

SL20T65F БТИЗ-ТО-220F VCE(В): 650 В IC@TC=100℃（A：40A ПД при ТК=25℃ (Вт: 35 Вт) TJ (℃): -55~150℃ Пакет: TO-220F

Даташит 3D Модель

SL20T65F1 IGBT TO-220F VCE(В): 650 В IC@TC=100℃（A：40A ПД при ТК=25℃ (Вт: 162 Вт) TJ (℃): -55~150℃ Пакет: TO-220F

Даташит 3D Модель

SL20T65FL IGBT TO-247 VCE(В): 650 В IC@TC=100℃（A：40A ПД при ТК=25℃ (Вт: 35 Вт) TJ (℃): -55~150℃ Пакет: TO-247

Даташит 3D Модель

SL20T65K1 БТИЗ ТО-263 VCE(В): 650 В IC@TC=100℃（A：40A ПД при ТК=25℃ (Вт: 162 Вт) TJ (℃): -55~150℃ Пакет: TO-263

Даташит 3D Модель

SL25T120FL IGBT TO-247 VCE(В): 1200 В IC@TC=100℃（A：50A ПД при ТК=25℃ (Вт: 350 Вт) TJ (℃): -55~150℃ Пакет: TO-247

Даташит 3D Модель

SL40T120FL IGBT TO-247 VCE(В): 1200 В IC@TC=100℃（A：80A ПД при ТК=25℃ (Вт: 718 Вт) TJ (℃): -55~175℃ Пакет: TO-247

Даташит 3D Модель

SL40T65FL1 IGBT TO-247 VCE(В): 650 В IC@TC=100℃（A：80A ПД при ТК=25℃ (Вт: 375 Вт) TJ (℃): -40~175℃ Пакет: TO-247

Даташит 3D Модель

SL50T120FZ БТИЗ-ТО-264 VCE(В): 1200 В IC@TC=100℃（A：100A ПД при ТК=25℃ (Вт: 535 Вт) TJ (℃): -55~175℃ Пакет: TO-264

Даташит 3D Модель

SL75T120FZ БТИЗ-ТО-264 VCE(В): 1200 В IC@TC=100℃（A：115A ПД при ТК=25℃ (Вт: 625 Вт) TJ (℃): -55~150℃ Пакет: TO-264

SL15T120FL1 IGBT TO-247 SL15T120FL1	1200V	30A	238 Вт	-40 ~ 175 ℃	TO-247
SL15T65FF IGBT TO-220F	650V	30A	48 Вт	-40 ~ 175 ℃	TO-220F
SL15T65FK IGBT TO-263 SL15T65FK	650V	30A	182 Вт	-40 ~ 175 ℃	TO-263
SL20T65F БТИЗ-ТО-220F	650V	40A	35 Вт	-55 ~ 150 ℃	TO-220F
SL20T65F1 IGBT TO-220F	650V	40A	162 Вт	-55 ~ 150 ℃	TO-220F
SL20T65FL IGBT TO-247	650V	40A	35 Вт	-55 ~ 150 ℃	TO-247
SL20T65K1 БТИЗ ТО-263	650V	40A	162 Вт	-55 ~ 150 ℃	TO-263
SL25T120FL IGBT TO-247 SL25T120FL	1200V	50A	350 Вт	-55 ~ 150 ℃	TO-247
SL40T120FL IGBT TO-247 SL40T120FL	1200V	80A	718 Вт	-55 ~ 175 ℃	TO-247
SL40T65FL1 IGBT TO-247 SL40T65FL1	650V	80A	375 Вт	-40 ~ 175 ℃	TO-247
SL50T120FZ IGBT TO-264 SL50T120FZ	1200V	100A	535 Вт	-55 ~ 175 ℃	TO-264
SL75T120FZ IGBT TO-264 SL75T120FZ	1200V	115A	625 Вт	-55 ~ 150 ℃	TO-264

Горячая линия

тел: + 86 755 83044319

Whatsapp: + 8618073002950

ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.

SLKORЛинейка продукции компании включает дискретные устройства и т. д., диоды, транзисторы, силовые устройства; а также интегральные микросхемы и т. д., линейные регуляторы, микросхемы DC/DC, интерфейсные микросхемы, датчики Холла, АЦП и BMS... У нас есть накопленные за годы технологии в области специализированных полупроводников.

Электронная почта: slkoric@slkormicro.com

Whatsapp: + 8618073002950

Телефон: +86 755 83044319

Здание T2, промышленный центр Лицзинчэн, улица Цзихуа, район Лунхуа, Шэньчжэнь, 518109, Китай

Контакты

粤 ICP 备 20017602 号