Продукты
Продукты
SiC диод Шоттки Благодаря высокочастотной структуре диода с барьером Шоттки SiC SBD достигает высокого напряжения более 600 В, в то время как максимальное выдерживаемое напряжение кремниевого SBD составляет всего 200 В или около того, а его падение напряжения во включенном состоянии намного ниже, чем у кремниевого диода с быстрым восстановлением. время восстановления после отключения меньше, следовательно, потери при отключении ниже, что приводит к снижению электромагнитных помех. Использование SiC SBD для замены основного кремниевого диода быстрого восстановления FRD может значительно снизить общие потери, повысить эффективность источника питания и за счет высокочастотной работы достичь миниатюризации пассивных компонентов, таких как катушки индуктивности и конденсаторы. и электромагнитные помехи EMI ниже. Карбид кремния SBD может широко использоваться в кондиционерах, источниках питания, инверторах в фотоэлектрических системах производства электроэнергии, моторно-тяговых системах для электромобилей и устройствах быстрой зарядки.
SL12005B Карбидные диоды с барьером Шоттки TO-220-2 VRRM(V):1200V IF(A):5A VF Typ(V):1.8V PD@TC=25℃(W):110W Package:TO-220-2
SL12010B Карбидные диоды Шоттки TO-220-2 VRRM(V):1200V IF(A):10.5A VF Typ(V):1.8V PD@TC=25℃(W):153W Package:TO-220-2
SL12015B Выпрямители с барьером Шоттки SiC TO-247-2 VRRM(V):1200V IF(A):15A VF Typ(V):1.8V PD@TC=25℃(W):220W Package:TO-247-2
SL12020B Карбидные выпрямители Шоттки TO-247-2 VRRM(V):1200V IF(A):22A VF Typ(V):1.8V PD@TC=25℃(W):272W Package:TO-247-2
SL12040B SiC Диодный выпрямитель Шоттки TO-247-2 VRRM(V):1200V IF(A):40A VF Typ(V):1.8V PD@TC=25℃(W):385W Package:TO-247-2
Силовые диоды Шоттки SL12030B SiC TO-247-2 VRRM(V):1200V IF(A):30A VF Typ(V):1.8V PD@TC=25℃(W):288W Package:TO-247-2
whatsapp

Горячая линия обслуживания

tel: +86 755 83044319

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950